TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD900R12IP4D
PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,größererEmitterControlled4Diode
PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diode
VorläufigeDaten/PreliminaryData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 900A / I
CRM
= 1800A
TypischeAnwendungen
• Chopper-Anwendungen
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
• GroßeDC-Festigkeit
•
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
Kurzschlussstrom
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
• NiedrigesV
CEsat
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• HoheLeistungsdichte
• SubstratfürkleinenthermischenWiderstand
TypicalApplications
• ChopperApplications
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureT
vjop
• HighDCStability
•
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent
• V
CEsat
withpositiveTemperatureCoefficient
• LowV
CEsat
MechanicalFeatures
• 4kVAC1minInsulation
• PackagewithCTI>400
• HighCreepageandClearanceDistances
• HighPowerandThermalCyclingCapability
• HighPowerDensity
• SubstrateforLowThermalResistance
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2013-11-05
revision:2.2
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:AC
approvedby:MS
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD900R12IP4D
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT-Chopper/IGBT-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
1200
900
1800
5,10
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,0
typ.
1,70
2,00
2,10
5,8
6,40
1,2
54,0
2,80
0,20
0,22
0,22
0,14
0,15
0,15
0,70
0,80
0,85
0,20
0,40
0,45
50,0
70,0
80,0
150
200
205
3600
16,0
150
max.
2,05
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
kW
V
I
C nom
I
CRM
P
tot
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 33,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,6
Ω
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,6
Ω
6,5
5,0
400
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 45 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4800 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,6
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 45 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,6
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
29,5 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:AC
approvedby:MS
dateofpublication:2013-11-05
revision:2.2
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD900R12IP4D
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode-Chopper/Diode-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
900
1800
150
145
typ.
1,65
1,55
1,50
560
770
820
110
200
225
50,0
90,0
105
20,0
150
max.
2,15
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
kA²s
kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 900 A, - di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
I
F
= 900 A, - di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
I
F
= 900 A, - di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
37,0 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,Revers/Diode,Reverse
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
1200
120
240
0,17
typ.
1,65
1,65
170
150
max.
2,15
V
V
V
A
A
kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 120 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 120 A, V
GE
= 0 V
proDiode/perdiode
340 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:AC
approvedby:MS
dateofpublication:2013-11-05
revision:2.2
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD900R12IP4D
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
-40
3,00
1,8
M
8,0
G
-
825
10
Nm
g
4,0
Cu
Al
2
O
3
33,0
33,0
19,0
19,0
> 400
typ.
18
0,30
-
-
max.
150
6,00
2,1
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
kV
mm
mm
Gewicht
Weight
preparedby:AC
approvedby:MS
dateofpublication:2013-11-05
revision:2.2
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD900R12IP4D
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
1800
AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
1800
1620
1440
1260
1080
I
C
[A]
900
720
540
360
180
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT-Chopper(typisch)
transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
1800
1620
1440
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT-Chopper(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.6Ω,R
Goff
=1.6Ω,V
CE
=600V
400
350
300
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
1260
1080
900
720
540
100
360
180
0
50
0
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
I
C
[A]
250
200
150
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600 1800
I
C
[A]
preparedby:AC
approvedby:MS
dateofpublication:2013-11-05
revision:2.2
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
