TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
IHM-BModul
IHM-Bmodule
DD800S17H4_B2
V
CES
= 1700V
I
C nom
= 800A / I
CRM
= 1600A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• AktiverEingang(Rückspeisung)
• Hochleistungsumrichter
• Multi-LevelUmrichter
• Traktionsumrichter
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
• HoheStromdichte
• T
vjop
=150°C
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
•
AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• HoheLeistungsdichte
• IHMBGehäuse
TypicalApplications
• 3-level-applications
• Activefrontend(energyrecovery)
• Highpowerconverters
• Multilevelinverter
• Tractiondrives
• Windturbines
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureT
vjop
• Highcurrentdensity
• T
vjop
=150°C
MechanicalFeatures
• 4kVAC1mininsulation
•
AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
• PackagewithCTI>400
• Highcreepageandclearancedistances
• Highpowerandthermalcyclingcapability
• Highpowerdensity
• IHMBhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:WB
approvedby:IB
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S17H4_B2
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= -40°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
1570
1700
1700
800
1600
105
95,0
800
10,0
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
typ.
1,80
1,90
1,95
900
1000
1050
190
320
360
110
200
230
max.
2,10
2,10
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
39,1 K/kW
33,0
-40
150
K/kW
°C
V
A
A
kA²s
kA²s
P
RQM
t
on min
kW
µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 6500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 6500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 6500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:WB
approvedby:IB
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S17H4_B2
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
L
sCE
R
AA'+CC'
T
stg
M
-40
4,25
1,8
M
8,0
G
-
800
10
Nm
g
-
4,0
AlSiC
32,2
32,2
19,1
19,1
> 400
typ.
18
0,25
150
5,75
2,1
max.
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
kV
mm
mm
Gewicht
Weight
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FD800R17HP4-K_B2 Modul
Dynamic data valid in conjunction with FD800R17HP4-K_B2 module
preparedby:WB
approvedby:IB
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S17H4_B2
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=Ω,V
CE
=900V
350
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
1600
1400
1200
1000
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
300
250
200
800
600
400
200
0
100
E [mJ]
150
50
0,0
0,5
1,0
1,5
V
F
[V]
2,0
2,5
3,0
0
I
F
[A]
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
I
F
[A]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=800A,V
CE
=900V
300
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
100
Z
thJC
: Diode
250
200
Z
thJC
[K/kW]
E [mJ]
150
10
100
50
i:
1
2
3
4
r
i
[K/kW]: 9,19
18,65 7,76 3,5
τ
i
[s]:
0,00138 0,026 0,172 4,42
0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 3,3 3,6 3,9
R
G
[Ω]
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:WB
approvedby:IB
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S17H4_B2
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
I
R
=f(V
R
)
T
vj
=150°C
2000
I
R
, Modul
1800
1600
1400
1200
I
R
[A]
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600 1800
V
R
[V]
preparedby:WB
approvedby:IB
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
5
京公网安备 11010802033920号
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