Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 170 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
t
p
= 1 ms
T
vj
= 25°C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
1700
200
400
400
V
A
A
A
T
C
= 25°C, Transistor
P
tot
1660
W
V
GES
+/- 20V
V
I
F
200
A
I
FRM
400
A
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
2
t
11
k A
2
s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I
C
= 200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
I
C
= 200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
I
C
= 9mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
V
CE sat
min.
-
-
4,5
typ.
2,6
3,1
5,5
max.
3,2
3,6
6,5
V
V
V
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
-
2,4
-
µC
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
15
-
nF
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
0,7
-
nF
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
-
-
5
mA
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: Alfons Wiesenthal
approved by: Dr. Schilling
date of publication: 2002-07-04
revision: 3
1(8)
BSM200GB170DLC_3.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 170 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5W, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5W, T
vj
= 125°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5W, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5W, T
vj
= 125°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5W, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5W, T
vj
= 125°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5W, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5W, T
vj
= 125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
stray inductance module
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
I
C
= 200A, V
CE
= 900V, V
GE
= ±15V
R
G
= 7,5W, T
vj
= 125°C, L
s
= 60nH
I
C
= 200A, V
CE
= 900V, V
GE
= ±15V
R
G
= 7,5W, T
vj
= 125°C, L
s
= 60nH
t
P
£
10µsec, V
GE
£
15V, R
G
= 7,5W
T
Vj
£125°C,
V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·di/dt
Anschlüsse / terminals: 2 - 3
I
SC
L
sCE
-
-
800
20
-
-
A
nH
E
off
-
65
-
mJ
E
on
-
90
-
mJ
t
f
-
-
0,03
0,03
-
-
µs
µs
t
d,off
-
-
0,80
0,90
-
-
µs
µs
t
r
-
-
0,10
0,10
-
-
µs
µs
t
d,on
-
-
0,10
0,10
-
-
µs
µs
min.
typ.
max.
pro Zweig / per arm, T
C
= 25°C
R
CC'+EE'
-
0,60
-
mW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= 200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
I
F
= 200A, - di
F
/dt = 2300A/µs
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
I
F
= 200A, - di
F
/dt = 2300A/µs
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 200A, - di
F
/dt = 2300A/µs
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
E
rec
-
-
25
50
-
-
mJ
mJ
Q
r
-
-
60
105
-
-
µC
µC
I
RM
-
-
160
200
-
-
A
A
V
F
min.
-
-
typ.
2,1
2,1
max.
2,5
2,5
V
V
2(8)
BSM200GB170DLC_3.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 170 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC
pro Modul / per module
l
Paste
= 1 W/m*K /
l
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
R
thJC
-
-
-
typ.
-
-
0,010
max.
0,075
0,150
-
K/W
K/W
K/W
T
vj max
-
-
150
°C
T
vjop
-40
-
125
°C
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Schraube / screw M6
M
3
Al
2
O
3
20
mm
11
mm
425
Nm
-
6
Anschlüsse / terminals M6
M
2,5
-
5
Nm
G
340
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
BSM200GB170DLC_3.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 170 DLC
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
I
C
= f (V
CE
)
V
GE
= 15V
400
350
300
250
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
I
C
[A]
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
400
350
300
250
VGE = 19V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
I
C
= f (V
CE
)
T
vj
= 125°C
I
C
[A]
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
4(8)
BSM200GB170DLC_3.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 170 DLC
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
I
C
= f (V
GE
)
V
CE
= 20V
400
350
300
250
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
I
C
[A]
200
150
100
50
0
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GE
[V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
400
350
300
250
I
F
= f (V
F
)
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
I
F
[A]
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
V
F
[V]
5(8)
BSM200GB170DLC_3.xls
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
