TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DD400S33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
3300
3300
400
800
72,0
600
10,0
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
I
RM
typ.
max.
V
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
V
A
A
kA²s
kW
µs
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
T
vj
= 25°C
T
vj
= -25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
T
vj
= 125°C
P
RQM
t
on min
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
2,60 t.b.d.
2,55
530
620
270
480
270
550
32,0
125
I
F
= 400 A, - di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 400 A, - di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 400 A, - di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
51,0 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:KHH
approvedby:CL
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DD400S33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤
10 pC (acc. to IEC 1287)
T
vj
= 25°C, 100 fit
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
V
ISOL
V
CE D
CTI
min.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
4,25
3,6
6,0
2,6
2150
AlSiC
AlN
32,0
32,2
19,0
19,1
> 400
typ.
16,0
58
0,78
-
-
500
125
5,75
4,2
max.
K/kW
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
kV
V
mm
mm
preparedby:KHH
approvedby:CL
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
2
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IGBT-Module
IGBT-modules
DD400S33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=Ω,V
CE
=1800V
800
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
800
700
600
500
400
300
200
100
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
700
600
500
E [mJ]
400
300
200
100
0
I
F
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
F
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0
100
200
300
400
I
F
[A]
500
600
700
800
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=400A,V
CE
=1800V
800
E
rec
, T
vj
= 125°C
700
600
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
100
Z
thJC
: Diode
10
500
400
300
1
200
100
0
0,1
0,001
i:
1
2
3
4
r
i
[K/kW]: 22,95 12,75 3,06 12,24
τ
i
[s]:
0,03 0,1
0,3 1
0
5
10
15
20
R
G
[Ω]
25
30
35
Z
thJC
[K/kW]
E [mJ]
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:KHH
approvedby:CL
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
3
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DD400S33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
I
R
=f(V
R
)
T
vj
=125°C
1000
I
R
, Modul
800
600
I
R
[A]
400
200
0
0
500
1000
1500 2000
V
R
[V]
2500
3000
3500
preparedby:KHH
approvedby:CL
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DD400S33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:KHH
approvedby:CL
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
5