2015-10-08
Infrared Emitter (850 nm)
IR-Lumineszenzdiode (850 nm)
Version 1.1
SFH 4857 E7800
Features:
•
Wavelength 850nm
•
Hermetically sealed package
•
Short switching times
•
Spectral match with silicon photodetectors
•
Measured with a 2mm aperture.
Applications
•
Photointerrupters
•
Sensor technology
•
Light curtains
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Besondere Merkmale:
•
Wellenlänge 850nm
•
Hermetisch dichtes Metallgehäuse
•
Kurze Schaltzeiten
•
Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
•
Gemessen mit einer 2mm Lochblende.
Anwendungen
•
Lichtschranken
•
Sensorik
•
Lichtgitter
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.1
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4857 E7800
Note:
Anm.:
SFH 4857 E7800
Ordering Code
Bestellnummer
15 (≥ 6.3)
Q65111A6126
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤ 200 µs, D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
Thermal resistance junction - case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
ESD withstand voltage
ESD Festigkeit
(acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM)
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 125
5
100
1
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
P
tot
R
thJA
R
thJC
V
ESD
200
500
350
2
mW
K/W
K/W
kV
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Version 1.1
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Peak wavelength
Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Centroid wavelength
Schwerpunktwellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50 Ω)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1A, t
p
= 100 µs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
(typ)
Symbol
Symbol
λ
peak
SFH 4857 E7800
Values
Werte
860
Unit
Einheit
nm
(typ)
λ
centroid
850
nm
(typ)
∆λ
30
nm
(typ)
(typ)
(min ..
max)
(typ)
ϕ
LxW
H
t
r
, t
f
± 37
0.3 x 0.3
2.1 ... 2.7
12
°
mm x
mm
mm
ns
(typ (max)) V
F
1.7 (≤ 2)
V
(typ)
V
F
3.6 (≤ 4.6)
V
(typ (max)) I
R
not designed for
reverse operation
35
µA
(typ)
Φ
e
mW
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Version 1.1
SFH 4857 E7800
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw. Φ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
SFH 4857 E7800-Q
SFH 4857 E7800-R
SFH 4857 E7800-S
Note:
Symbol
Symbol
(typ)
TC
I
Values
Werte
-0.3
Unit
Einheit
%/K
(typ)
TC
V
-0.6
mV / K
(typ)
TC
λ
0.3
nm / K
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, max
[mW / sr]
12.5
20
32
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
F
= 1 A, t
p
= 100 µs
I
e, typ
[mW / sr]
40
60
100
6.3
10
16
Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 2.0 mm; distance of aperture to case back side: 5.4 mm). This ensures that solely
the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement
of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful
values. This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation. Only one group
in one packing unit (variation lower 2:1).
Anm.:
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 2,0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5,4 mm). Dadurch
wird sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet
wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung
(vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei
Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z. B. Lichtschranken großer Reichweite). In
der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch
dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser
verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag "E 7800", der an
die Typenbezeichnung angehängt ist. Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
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Version 1.1
Relative Spectral Emission
1)
page 11
Relative spektrale Emission
1)
Seite 11
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
OHF04132
SFH 4857 E7800
Radiant Intensity
1)
page 11
Strahlstärke
1)
Seite 11
I
e
/ I
e
(100 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 100 µs,
T
A
= 25°C
10
1
OHF05641
I
rel
%
80
Ι
e
(100 mA)
10
0
Ι
e
60
10
-1
40
20
10
-2
0
700
750
800
850
nm 950
λ
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
I
F, max
= f(T
A
), R
thJA
= 500 K / W
110
mA
90
80
70
60
50
40
30
OHF05680
10
-3 0
10
10
1
10
2
mA 10
3
I
F
Forward Current
1)
page 11
Durchlassstrom
1)
Seite 11
I
F
= f(V
F
), single pulse, t
p
= 100 µs, T
A
= 25°C
I
F
I
F
10
3
mA
OHF05645
10
2
5
10
1
5
20
10
0
0
25
50
75
100 ˚C 125
10
0
0
1
2
3
V
4
T
A
V
F
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5
Integrated technical exchanges
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
