LC ARGUS
®
LED
Low current 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LS K389, LY K389, LG K389
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
eingefärbtes, klares Gehäuse
Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)
bei Einsatz eines äußeren Reflectors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet
gleichmäßige
Ausleuchtung
einer
Streuscheibe
(Weißdruck) vor dem äußeren Reflektor
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
Hinweis:
Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale
Transmission an die, von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.
Features
q
colored, clear package
q
plasic package with a special design
q
high light intensity at low currents (typ. 2 mA)
q
in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels
q
for optical coupling into light pipes
q
uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
q
Note:
If the diffuser screen is tinted, the spectral transmission must be adjusted to the
wavelength emitted by the LED.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
super-red
yellow
green
Gehäusefarbe
Color of
Package
red clear
yellow clear
green clear
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 2 mA
Φ
V
(mlm)
≥1
(5.0 typ.)
≥1
(3.2 typ.)
≥1
(3.2 typ.)
Bestellnummer
Ordering Code
LS K389-FO
LY K389-FO
LG K389-FO
Q62703-Q1771
Q62703-Q1772
Q62703-Q1773
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
Φ
V max
/Φ
V min
≤
2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit
Φ
V max
/Φ
V min
≤
2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
VEX06712
LS K389, LY K389, LG K389
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
LS
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
λ
peak
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 7.5 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 7.5 mA
(typ.)
λ
dom
(typ.)
635
Werte
Values
LY
586
LG
565
nm
Einheit
Unit
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Φ
rel max
(typ.)
∆λ
Spectral bandwidth at 50 %
Φ
rel max
(typ.)
I
F
= 7.5 mA
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 2 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
ƒ
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
(typ.)
C
0
45
45
25
nm
1.8
2.6
0.01
10
3
2.0
2.7
0.01
10
3
1.9
2.6
0.01
10
15
V
V
µA
µA
pF
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
3
LS K389, LY K389, LG K389
Relative spektrale Emission
Φ
rel
=
ƒ
(λ),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 7.5 mA
Relative spectral emission
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
Φ
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LS K389, LY K389, LG K389
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relativer Lichtstrom
Φ
V
/Φ
V (2
Relative luminous flux
T
A
= 25 ˚C
mA)
=
f
(
I
F
)
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
5
Energy Infrastructure?
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
