Multi TOPLED
®
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Besondere Merkmale
Gehäusebauform: P-LCC-4
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
bei geeigneter Ansteuerung, Farbwechsel von grün über
gelb und orange bis super-rot möglich
q
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
q
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
q
Störimpulsfest nach DIN 40839
q
q
q
q
q
q
q
Features
P-LCC-4 package
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
both chips can be controlled separately
high signal efficiency possible by color change of the LED
with appropriate controlling it is possible to change color
from green to yellow and orange to super-red
q
suitable for all SMT assembly and soldering methods
q
available taped on reel (8 mm tape)
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
q
q
q
q
q
q
q
Semiconductor Group
1
11.96
VPL06837
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Typ
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Type
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
1.0 ... 8.0
1.6 ... 3.2
2.5 ... 5.0
4.0 ... 8.0
1.6 ... 12.5
2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
1.0 ... 8.0
1.6 ... 3.2
2.5 ... 5.0
1.6 ... 12.5
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
Φ
V
(mlm)
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
-
8 (typ.)
12 (typ.)
18 (typ.)
-
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
-
8 (typ.)
12 (typ.)
-
Ordering Code
LSY T670-HK
LSY T670-J
LSY T670-K
LSY T670-JL
LSG T670-HK
LSG T670-J
LSG T670-K
LSG T670-JL
LSP T670-FJ
LSP T670-G
LSP T670-H
LSP T670-J
LSP T670-GK
LOG T670-HK
LOG T670-J
LOG T670-K
LOG T670-JL
LOP T670-FJ
LOP T670-G
LOP T670-H
LOP T670-GK
super-red /
yellow
Q62703-Q3912
Q62703-Q2984
Q62703-Q2985
Q62703-Q3913
Q62703-Q2531
Q62703-Q2656
Q62703-Q2657
Q62703-Q2658
Q62703-Q2659
Q62703-Q2660
Q62703-Q2661
Q62703-Q2777
Q62703-Q2532
Q62703-Q2708
Q62703-Q2767
Q62703-Q2768
Q62703-Q2867
Q62703-Q2677
Q62703-Q2678
Q62703-Q2679
Q62703-Q2566
super-red /
green
colorless clear
super-red /
pure green
colorless clear
orange/
green
colorless clear
orange/
pure green
colorless clear
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
1)
Streuung der Lichtstärke in einer LED
I
V max
/
I
V min
≤
3.0 (LSG T670, LOG T670, LSY T670),
≤
4.0 (LSP T670, LOP T670).
1)
Bei MULTILED
®
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
≤
3.0 (LSG T670, LOG T670, LSY T670),
≤
4.0 (LSP T670, LOP T670).
1)
In case of MULTILED
®
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Semiconductor Group
2
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol Wert
Symbol Value
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
30
0.5
V
R
P
tot
5
100
V
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
R
th JA1)
mounted on PC board*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
R
th JA2)
*
)
PC-board: FR4
1)
2)
480
650
K/W
K/W
nur ein Chip betrieben
beide Chips betrieben
1)
2)
one system only
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
3
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Symbol
Symbol
LS
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
635
LO
610
Wert
Value
LG
565
LP
557
LY
586
Ein-
heit
Unit
nm
628
605
570
560
590
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
∆λ
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
2ϕ
45
40
25
22
45
nm
120
2.0
2.6
0.01
10
12
120
2.0
2.6
0.01
10
8
120
2.0
2.6
0.01
10
15
120
2.0
2.6
0.01
10
15
120
2.0
2.6
0.01
10
10
Grad
deg.
V
V
µA
µA
pF
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
(typ.)
C
0
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
300
150
450
200
450
200
450
200
300
150
ns
ns
Semiconductor Group
4
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
RF/Wirelessly
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
