3 mm (T1) MULTILED
®
, Non Diffused
LSG 3331
Besondere Merkmale
nicht eingefärbtes, klares Gehäuse
antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
bei geeigneter Ansteuerung mit IC (z.B. SDA 2231),
Farbwechsel von grün über gelb und orange bis super-rot
möglich
q
beide Farben getrennt ansteuerbar
q
gegurtet lieferbar
q
Störimpulsfest nach DIN 40839
q
q
q
q
Features
colorless clear plastic package
antiparallel chips
high signal efficiency possible by color change of the LED
with appropriate controlling by IC (e.g. SDA2231) it is
possible to change color from green to yellow, orange and
super-red
q
both colors can be controlled separately
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
q
q
q
q
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
≥
4 (18 typ.)
Bestellnummer
Ordering Code
LSG 3331-JO
1)
super-red / green colorless clear
Q62703-Q2296
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0
1)
.
Streuung der Lichtstärke in einer LED
I
V max
/
I
V min
≤
3.0.
1)
Bei MULTILED
®
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chip in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0
1)
.
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
≤
3.0.
1)
In case of MULTILED
®
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group
of the LED.
Semiconductor Group
1
11.96
VEX06729
LSG 3331
Grenzwerte
1)
Maximum Ratings
1)
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D = 0.005
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 ˚C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
1)
1)
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
40
0.5
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
P
tot
140
mW
R
th JA
400
K/W
Die angegebenen Grenzdaten gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhängig vom
Betriebszustand des anderen.
The standard maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one’s operating status.
Semiconductor Group
2
LSG 3331
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
Symbol
Symbol
LS
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
(typ.)
∆λ
(typ.)
2ϕ
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
C
0
635
Werte
Values
LG
565
nm
Einheit
Unit
628
570
nm
45
25
nm
40
2.0
2.6
40
2.0
2.6
27
Grad
deg.
V
V
pF
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
3
LSG 3331
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LSG 3331
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
