TOPLED
®
RG
Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
LH T774
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
q
q
q
Features
q
q
q
q
q
q
q
q
color of package: white
double heterojunction in GaAIAs technology
superior luminous intensity
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissions- Farbe der
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Color of
Color of the
Emission
Light Emitting
Area
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
6.3
10.0
16.0
10.0
...
...
...
...
32
20
32
50
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
Φ
V
(mlm)
-
45 (typ.)
75 (typ.)
-
Ordering Code
LH T774-KM hyper-red
LH T774-L
LH T774-M
LH T774-LN
Q62703-Q2725
Q62703-Q2790
Q62703-Q2791
Q62703-Q2792
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
VPL06899
Gehäusefarbe: weiß
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie
besonders hohe Lichtstärke
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (12-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40839
LH T774
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
Symbol
Symbol
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
(typ.)
∆λ
(typ.)
2ϕ
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
(typ.)
C
0
Werte
Values
660
Einheit
Unit
nm
645
nm
22
nm
120
1.75
2.6
0.01
10
25
Grad
deg.
V
V
µA
µA
pF
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
140
110
ns
ns
Semiconductor Group
3
LH T774
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LH T774
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
