Hyper TOPLED
®
Hyper-Bright, Hyper-Red TS GaAIAs-LED
LH T676
Besondere Merkmale
q
Gehäusebauform: P-LCC-2
q
Gehäusefarbe: weiß
q
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie,
q
q
q
q
q
q
transparentes Substrat (TS)
besonders hohe Lichtstärke
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
q
q
q
q
q
q
q
q
P-LCC-2 package
color of package: white
double heterojunction in GaAIAs technology, transparent substrate
superior luminous intensity
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Emissions- Farbe der
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Color of
Color of the
Emission
Light Emitting
Area
hyper-red
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Typ
Type
Luminous
Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
25
40
63
100
40
...
...
...
...
...
200
80
125
200
320
Luminous
Flux
I
F
= 20 mA
Φ
V
(mlm)
-
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Ordering Code
LH T676-NR
LH T676-P
LH T676-Q
LH T676-R
LH T676-PS
Q62703-Q3140
Q62703-Q3164
Q62703-Q3141
Q62703-Q3142
Q62703-Q3143
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
VPL06724
LH T676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 ˚C
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
50
0.5
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
3
130
V
mW
Wärmewiderstand
R
th JA
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Montage auf PC-Board*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC-Board*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
*
)
PC-board: FR4
450
K/W
Semiconductor Group
2
LH T676
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
Temperaturkoeffizient von
I
V
bzw.
Φ
V
,
I
F
= 20 mA
Temperature coefficient of
I
V
or
Φ
V
,
I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 20 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
Symbol
Symbol
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
(typ.)
∆λ
(typ.)
2ϕ
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
(typ.)
C
0
Werte
Values
660
Einheit
Unit
nm
645
nm
22
nm
120
1.85
2.3
0.01
10
30
Grad
deg.
V
V
µA
µA
pF
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
TC
I
(typ.)
(typ.)
(typ.)
TC
V
(typ.)
(typ.)
TC
λ
(typ.)
100
100
– 0.4
ns
ns
%/K
–3
+ 0.16
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
3
LH T676
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LH T676
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(20 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
