GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 274
Area not flat
0.6
0.4
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Sehr enger Abstrahlwinkel
q
GaAs-IR-LED, hergestellt im
q
q
q
q
Features
q
Extremely narrow half angle
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
q
q
q
q
Schmelzepitaxieverfahren
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Gruppiert lieferbar
Gehäusegleich mit SFH 484
liquid phase epitaxy process
High reliability
High pulse handling capability
Available in groups
Same package as SFH 484
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Geräten
Typ
Type
LD 274
LD 274-2
1)
LD 274-3
1)
1)
tape recorders, dimmers,
of various equipment
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
Nur auf Anfrage lieferbar.
Available only on request.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06260
1.8
1.2
29
27
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
5.7
5.1
Chip position
0.6
0.4
GEX06260
LD 274
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
100
5
100
3
165
450
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
∆λ
55
nm
ϕ
±
10
0.09
0.3
×
0.3
Grad
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
4.9 ... 5.5
1
mm
µs
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 274
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
25
Einheit
Unit
pF
C
o
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.30
(≤
1.5)
1.90
(≤
2.5)
0.01
(≤
1)
15
V
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.3
mV/K
nm/K
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.001 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.001 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
1)
1)
Symbol
Symbol
LD 274
I
e min
I
e max
50
–
Wert
Value
LD 274-2
1)
50
100
LD 274-3
80
–
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
I
e typ.
350
600
800
mW/sr
Nur auf Anfrage lieferbar.
Available only on request.
Semiconductor Group
3
1997-11-01
LD 274
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHR01938
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Radiant intensity
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
120
OHR00883
Ι
e
OHR01038
Ι
rel
Ι
e
(100 mA)
Ι
F
mA
100
80
10
1
60
80
R
thjA
= 450 K/W
60
40
10
0
20
40
20
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward current
I
F
=
f
(V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Ι
F
10
1
A
OHR01041
Radiation characteristics,
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
ϕ
10
0
1.0
OHR01882
50
0.8
10
0
typ.
max.
60
0.6
70
10
-1
0.4
80
90
0.2
0
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
≤
25
°C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
OHR00860
Ι
F
mA
5
D
= 0.005
0.01
t
p
t
p
D=
T
T
Ι
F
0.02
10
3
0.1
0.2
0.05
5
0.5
DC
10
2
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Semiconductor Group
4
1997-11-01
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
