注文コード No. N 7 4 0 7
ECH8609
No.
N 7 4 0 7
22004
新
ECH8609
特長
N チャネルおよび P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・½オン抵抗、超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS ½電界効果トランジスタを
1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可½である。
・4V 駆動。
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・½ース電圧
ゲート・½ース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
全損失
チャネル温度
保存周囲温度
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
Tch
Tstg
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
N-channel
30
± 20
6
40
P-channel
− 30
± 20
−4
− 40
1.3
1.5
unit
V
V
A
A
W
W
℃
℃
セラミック基板(900mm
2
× 0.8mm)装着時 1unit
セラミック基板(900mm
2
× 0.8mm)装着時
150
− 55 ∼＋ 150
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
［N-channel½
ドレイン・½ース降伏電圧
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=1mA, VGS=0
VDS=30V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=3A
ID=2A, VGS=10V
ID=1A, VGS=4V
1.0
3.3
5
25
52
34
75
min
30
typ
max
1
± 10
2.4
unit
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
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単½品名表示：FB
外½図 2206A
(unit : mm)
0.25
0.3
0.15
8
5
2.3
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
0.9
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を
要する用途
（生½維持装½、
航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）
に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
2.8
0.65
2.9
Top View
0.25
1
4
0.07
Bottom View
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO：ECH8
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
22004 TS IM ◎½藤 TA-100432 No.7407-1/6
ECH8609
前ページより続く。
min
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・½ース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
［P-channel½
ドレイン・½ース降伏電圧
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・½ース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
スイッチングタイム測定回路図
［N-channel½
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
〃
〃
〃
VDS=10V, VGS=10V, ID=6A
IS=6A, VGS=0
min
− 30
typ
510
105
70
15
74
43
37
11
1.9
2.9
0.85
typ
1.2
max
−1
± 10
− 1.0
3.3
− 2.4
5
50
87
550
120
90
13
110
65
75
14
2.2
2.5
− 0.88
− 1.2
67
120
max
unit
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
unit
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 30V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 2A
ID= − 2A, VGS= − 10V
ID= − 1A, VGS= − 4V
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
指定回路において
〃
〃
〃
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A
IS= − 4A, VGS=0
［P-channel½
VIN
10V
0V
VIN
VDD=15V
0V
--10V
ID=3A
RL=5Ω
VIN
VDD= --15V
VIN
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
ID= --2A
RL=7.5Ω
D
PW=10µs
D.C.≦1%
D
VOUT
G
G
P.G
50Ω
S
P.G
50Ω
S
No.7407-2/6
ECH8609
電気的接続図
D1
D1
D2
D2
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
S1
G1
S2
G2
(Top view)
6
ID -- VDS
10V
4V
6V
8
V
5V
[Nch]
--4.0
--3.5
ID -- VDS
--6.0V
[Pch]
5
--8.0V
ドレイン電流, ID -- A
4
ドレイン電流, ID -- A
--3.0
--2.5
--10.0
V
--5.0
V
--4.0
V
3
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
.5V
V GS= --2
2
VGS=3V
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
10
9
8
IT05593
ID -- VGS
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
--10
--9
--8
IT05594
[Nch]
ID -- VGS
[Pch]
VDS=10V
VDS= --10V
ドレイン電流, ID -- A
7
6
5
4
ドレイン電流, ID -- A
--7
--6
--5
--4
75
°
C
Ta=
--25
°
C
Ta=
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
25
°
C
--2
--1
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
25
°
C
--2.5
--3.0
75
°
C
--25
°
C
3
--3
--3.5
--4.0
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
IT05595
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
120
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
IT05596
[Nch]
Ta=25°C
RDS(on) -- VGS
[Pch]
Ta=25°C
100
80
ID=1A
60
2A
ID=
--1A
--2A
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
IT05597
--12
IT05598
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
No.7407-3/6
ECH8609
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
80
70
60
50
40
30
20
10
0
--50
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- Ta
[Nch]
140
RDS(on) -- Ta
[Pch]
120
=4V
, V GS
A
I D=1
100
= --4V
--1A, V GS
I D=
80
=10V
=2A, V GS
ID
60
=
--10V
--2A,
V GS
I D=
40
20
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
--25
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度, Ta --
°C
5
3
IT05599
周囲温度, Ta --
°C
100
7
5
IT05600
y
fs -- ID
[Nch]
VDS=10V
順伝達アドミタンス,
y
fs -- S
y
fs -- ID
[Pch]
VDS= --10V
順伝達アドミタンス,
y
fs -- S
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0.1
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
IT05602
C
25
°
a= --
T
C
C
75
°
25
°
--2
Ta=
5
°
C
75
°
C
25
°
C
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
ドレイン電流, ID -- A
3
2
10
7
5
3
2
2
10
IT05601
IF -- VSD
ドレイン電流, ID -- A
3
2
--10
7
5
3
2
[Nch]
VGS=0
IF -- VSD
[Pch]
VGS=0
順電流, IF -- A
順電流, IF -- A
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
0.1
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
--0.7
--0.8
--0.9
1.0
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
Ta=
Ta=
--1.0
--1.1
--1.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
3
IT05603
SW Time -- ID
ダイオード順電圧, VSD -- V
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
IT05604
[Nch]
スイッチングタイム, SW Time -- ns
VDD=15V
VGS=10V
SW Time -- ID
[Pch]
VDD= --15V
VGS= --10V
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2
100
7
5
3
2
tr
td(off)
td(off)
tr
tf
tf
td(on)
td(on)
10
7
5
3
2
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
5
7
ドレイン電流, ID -- A
IT05605
ドレイン電流, ID -- A
IT05606
No.7407-4/6
ECH8609
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Nch]
f=1MHz
3
2
1000
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Pch]
f=1MHz
1000
Ciss, Coss, Crss -- pF
Ciss, Coss, Crss -- pF
7
5
3
2
Ciss
7
5
3
2
100
7
5
3
2
Ciss
Coss
100
7
5
3
Coss
Crss
Crss
2
0
5
10
15
20
25
30
IT05607
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
IT05608
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
10
9
VGS -- Qg
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
--10
--9
[Nch]
VGS -- Qg
[Pch]
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
VDS=10V
ID=6A
VDS= --10V
ID= --4A
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
IT05609
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
IT05610
総ゲート電荷量, Qg -- nC
100
7
5
3
2
総ゲート電荷量, Qg -- nC
--100
7
5
3
2
ASO
IDP=40A
[Nch]
＜10µs
ASO
IDP= --40A
[Pch]
＜10µs
ドレイン電流, ID -- A
ID=6A
10
ドレイン電流, ID -- A
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1m
s
m
DC
10
s
s
op
er
ati
on
0m
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
1m
ID= --4A
10
10
s
m
s
DC
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm
2
×0.8mm)装着時
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
s
op
er
ati
on
0m
0.01
0.01
--0.01
--0.01 2 3
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm
2
×0.8mm)装着時
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
2 3
5
2.0
1.8
1.6
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
IT05611
PD -- Ta
[Nch, Pch共通]
セラミック基板(900mm
2
×0.8mm)装着時
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
IT05612
許容損失, PD -- W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
全
損
失
1u
nit
周囲温度, Ta --
°C
IT05582
No.7407-5/6
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
