注文コード No. N 8 2 7 4
ECH8631
ECH8631
特長
・½オン抵抗。
P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
・2.5V 駆動。
・複合タイプであり高密度実装可½。
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・½ース電圧
ゲート・½ース電圧
ドレイン電流
（DC）
ドレイン電流
（パルス）
許容損失
全損失
チャネル温度
保存周囲温度
記号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
Tch
Tstg
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm
2
× 0.8mm)装着時 1unit
セラミック基板(900mm
2
× 0.8mm)装着時
条件
定格値
− 12
± 10
−5
− 40
1.3
1.5
150
− 55 ∼＋ 150
unit
V
V
A
A
W
W
℃
℃
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・½ース降伏電圧
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
単½品名表示：FZ
記号
V(BR)DSS
IDSS1
IDSS2
IGSS
VGS(off)
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
条件
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 4V, VGS=0
VDS= − 12V, VGS=0
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS= − 6V, ID= − 1mA
VDS= − 6V, ID= − 2.5A
ID= − 2A, VGS= − 5V
ID= − 1A, VGS= − 4.5V
ID= − 0.5A, VGS= − 2.5V
VDS= − 6V, f=1MHz
VDS= − 6V, f=1MHz
VDS= − 6V, f=1MHz
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
− 0.4
5.5
9.3
24
26
42
1720
762
720
20
129
181
239
定格値
min
− 12
typ
max
−1
− 10
± 10
− 1.4
30
34
56
unit
V
µA
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
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本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途
（生½維持装½、
航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）
に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
32505PE TS IM ◎川浦 TB-00001007 No.8274-1/4
ECH8631
前ページより続く。
項目
総ゲート電荷量
ゲート・½ース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
外½図
unit : mm
2206B
8
0.25
記号
Qg
Qgs
Qgd
VSD
条件
VDS= − 6V, VGS= − 5V, ID= − 5A
VDS= − 6V, VGS= − 5V, ID= − 5A
VDS= − 6V, VGS= − 5V, ID= − 5A
IS= − 5A, VGS=0
電気的接続図
定格値
min
typ
19.6
3.64
5.82
− 0.83
− 1.5
max
unit
nC
nC
nC
V
7
6
5
0.3
0.15
8
5
0.65
2.9
0.25
1
4
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
1
2
3
4
2.3
2.8
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO : ECH8
Top view
スイッチングタイム測定回路図
VIN
0V
--5V
VIN
VDD= --6V
ID= --3A
RL=2Ω
VOUT
0.07
0.9
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
ECH8631
P.G
50Ω
S
No.8274-2/4
ECH8631
--5
ID -- VDS
--4.0
V
--3.0
V
--2
.5V
--10
ID -- VGS
VDS=
--6V
--8.0V
--5.0V --4.
5V
--4
=
--2
VGS
.0V
--9
--8
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
IT09291
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
25
°
C
--25
°
C
--3
Ta=
75
°
C
--2.0
--2.5
--3.0
IT09292
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
80
70
60
RDS(on) -- VGS
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
--60
RDS(on) -- Ta
Ta=25
°
C
ID= --2A
50
--0.5A
40
30
20
10
0
0
--1A
=
--2.
VGS
,
--0.5A
I D=
5V
=
--4.5V
1.0A, V GS
I D=
--
=
--5.0V
2.0A, V GS
I D=
--
--
2
--
4
--
6
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
--
8
IT09293
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta --
°
C
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
IT09294
10
y
fs -- ID
IF -- VSD
VGS=0
VDS=
--10V
順伝達アドミタンス,
y
fs -- S
7
順電流, IF -- A
5
25
°
C
25
°
C
3
--0.1
7
5
3
2
Ta=
7
2
--0.01
7
5
3
2
1.0
--
0.1
7
2
3
2
--
1.0
ドレイン電流, ID -- A
5
7
3
5
7
--
10
--0.001
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--25
°
--0.8
C
=
Ta
5
°
C
C
5
°
-2
°
C
75
3
2
--0.9
--1.0
--1.1
IT09295
5
SW Time -- ID
td(off)
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT09296
スイッチングタイム, SW Time -- ns
5
3
2
VDD= --6V
VGS= --5V
tf
Ciss, Coss, Crss -- pF
3
2
Ciss
100
7
5
3
2
tr
1000
7
5
Coss
Crss
td(on)
3
10
7
2
2
3
2
--
1.0
ドレイン電流, ID -- A
5
7
3
5
7
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10 --11 --12
IT09298
IT09297
--
0.1
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
No.8274-3/4
ECH8631
--
5.0
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
VGS -- Qg
VDS=
--6V
--
4.5
ID=
--5A
--
4.0
--
3.5
--
3.0
--
2.5
--
2.0
--
1.5
--
1.0
--
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
--100
7
5
3
2
ASO
IDP= --40A
10
≦10µs
1m
ID= --5A
ms
s
ドレイン電流, ID -- A
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
DC
10
0
op
ms
er
ati
o
n
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25
°
C
1パルス
セラミック基板(900mm
2
×0.8mm)装着時
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
--0.01
--0.01
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.8
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
IT09299
PD -- Ta
セラミック基板(900mm
2
×0.8mm)装着時
ドレイン・½ース電圧, VDS --
5 7 --10
2
V
IT09300
許容損失, PD -- W
全
損
1u
失
ni
t
140
160
周囲温度, Ta --
°C
IT09301
取り扱い上の注意：本½品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の½品は、定められた条件下において、記載部品単½の性½・特性・機½などを規定するものであ
り、お客様の½品（機器）での性½・特性・機½などを保証するものではありません。部品単½の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の½品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の½品を供給することに努めております。しかし、半導½½品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人½にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可½性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動½防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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際に同法に基づく輸出許可が必要です。
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本書に記載された内容は、½品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご½用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
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るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その½用
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PS No.8274-4/4
京公网安备 11010802033920号
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