THYRISTOR MODULE
PK
(PD,PE)
250HB
UL;E76102 M）
（
Power Thyristor/Diode Module
PK250HB
series are designed for various rectifier
circuits and power controls. For your circuit application. following internal connections
and wide voltage ratings up to 1,600V are available.
Isolated mounting base
●
I
T AV）
250A, I
T RMS）
310A, I
TSM
5500A
（
（
●
di/dt 200 A/μs
●
dv/dt 500V/μs
（Applications）
Various rectifiers
AC/DC motor drives
Heater controls
Light dimmers
Static switches
Internal Configurations
92
12
26
26
7
4- （M5）
φ6
5 12 5
K1G1 K2G2
18
2
M8×14
♯110TAB
（2.8.0.5T）
K2
G2
3
2
60
48
24
R8.0
5 2
80±0.3
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
3
2
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
3
2
A1K2
（K2）
K1
（A2）
1
PK
PD
PE
■Maximum
Ratings
Symbol
V
RRM
V
RSM
V
DRM
Symbol
Item
＊Repetitive
Peak Reverse Voltage
＊Non-Repetitive
Peak Reverse Voltage
Repetitive Peak Off-State Voltage
Item
PK250HB120
PE250HB120
Ratings
PD250HB120
PK250HB160
PE250HB160
PD250HB160
Unit
V
V
V
Ratings
250
390
5000/5500
125000
10
3
3
10
5
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
dI
μs
200
2500
−40 to ＋125
−40 to ＋125
2.7（28）
11（115）
510
Recommended Value 8.8-10
（90-105）
Typical Value
Unit
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N½½
（㎏f½B）
g
1200
1300
1200
Conditions
Single phase, half wave, 180°
conduction, Tc：72℃
Single phase, half wave, 180°
conduction, Tc：72℃
1
cycle,
／
2
1600
1700
1600
（
I
T AV）
＊Average
On-State Current
（
I
T RMS）
＊R.M.S.
On-State Current
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
＊Surge
On-State Current
＊I
2
t
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage（Forward）
Peak Gate Voltage（Reverse）
Critical Rate of Rise of On-State Current
＊Operating
Junction Temperature
＊Storage
Temperature
Mounting
Torque
Mass
50Hz/60Hz, peak Value, non-reqetitive
Value for one cycle of surge current
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di/dt
V
ISO
Tj
Tstg
＊Isolation
Breakdown Voltage
（R.M.S.）
A.C. 1 minute
Mounting（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）
Terminal（M8）
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
tgt
dv/dt
I
H
I
L
Item
Repetitive Peak Off-State Current, max.
＊Repetitive
Peak Reverse Current, max.
＊Peak
On-State Voltage, max.
Gate Trigger Current/Voltage, max.
Non-Trigger Gate, Voltage. min.
Turn On Time, max.
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.
Holding Current, typ.
Lutching Current, typ.
Conditions
at V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
at V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
On-State Current 750A, Tj＝125℃ Inst. measurement
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
I
T
＝250A，
G
＝100mA，
I
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/μs
V
／
dI
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，Exponential
wave.
／
Tj＝25℃
Tj＝25℃
Junction to case
Ratings
50
50
1.60
100/3
0.25
10
500
50
100
0.14
Unit
mA
mA
V
mA/V
V
μs
V/
μs
mA
mA
℃/W
Rth j-c）＊Thermal Impedance, max.
（
＊mark：Thyristor
and Diode part. No mark：Thyristor part
33
33
K2
K2
G2
42max
34max
Unit：A
Transient Thermal Impedance
θ
（℃/W）
j-c
Surge On-State Current
（A）
;;
PK(PD,PE)250HB
２
Gate Characteristics
２
On-State Characteristics
１
１
０
Peak Forward Gate Voltag
（10V）
Tj＝125℃
５
２
０
Ga
te
１
０
Po
we
（
r
Peak Gate Current
（3A）
Av
er
ag
e
On-State Current
（A）
Gate Voltage
（V）
P
（ eak
10 G
W at
） e
１
３
０
Po
we
r
５
２
3W
）
５
２
25℃
−30℃
１
２
０
125℃
５
２
Maximum Gate Non-Trigger Voltage
１
−１ １
０
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
２
５
１
１
０
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
３０
．
Gate Current
（mA）
On-State Voltage
（V）
Allowable Case Temperature
（℃）
６０
０
５０
０
４０
０
Average On-State Current Vs Power Dissipation
（Single phase half wave）
Per one element
１０
４
１０
２
１０
０
８
０
６
０
Average On-State Current Vs Maximum Allowable
Case Temperature
（Single phase half wave）
Per one element
D.C.
Power Dissipation
（W）
θ
＝180゜
2
３０
０
２０
０
１０
０
θ
θ
＝90゜ ＝120゜
θ
＝60゜
360
。
θ
Conduction Angle
:
：Conduction Angle
θ
＝30゜
2
360
。
: Conduction Angle
θ
＝30゜ θ
＝120゜ θ
＝180゜
＝60゜ θ
＝90゜ θ
D.C.
０
０
１０
０
２０
０
３０
０
４０
０
４
０
０
１０
０
２０
０
３０
０
４０
０
Average On-State Current
（A）
Average On-State Current
（A）
６０
００
５０
００
４０
００
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Per one element
Ｔ ＝ ５ start
½２℃
０２
．
Transient Thermal Impedance
Maximum
60Hz
３０
００
２０
００
１０
００
50Hz
０１
．
Junction to Case
Per one element
０
０
１
０
２
５
１
１
０
２
５
１
２
０
０
-３
１
０ ２
Time
（cycles）
W3
Total Power Dissipation
（W）
B6
Id Ar.m.s.）
（
Allowable Case Temperature
（℃）
７
０
８
０
７
０
Id Aav.）
（
Id Aav.）
（
７
０
８
０
Id Ar.m.s.）
（
２０
００
１０
６０
１０
２０
８０
０
４０
０
Conduction Angle θ 180°
８
０
Rth
Rth
Rth
Rth
Rth
Rth
f-a:0.5℃/W
９
０
f-a:0.4℃/W
f-a:0.3℃/W
f-a:0.2℃/W
０
f-a:0.1℃/W
１ ０
f-a:0.05℃/W
Rth
Rth
Rth
Rth
Rth
Rth
f-a:0.5℃/W
f-a:0.4℃/W
f-a:0.3℃/W
f-a:0.2℃/W
f-a:0.1℃/W
f-a:0.05℃/W
B2
Rth
Rth
Rth
Rth
Rth
Rth
f-a:0.5℃/W
f-a:0.4℃/W
０
f-a:0.3℃/W
９
f-a:0.2℃/W
f-a:0.1℃/W
f-a:0.05℃/W
１ ０
０
９
０
１０
０
１０
１
１０
２
１５
２
W1
１０
１
１０
２
１５
２
１０
１
１０
２
１５
２
０
０
２０
０
４０
０
６０
０
０ ２ ４ ６ ８ １ ０１ ０
０ ０ ０ ０ ０ ２
０ ２ ４ ６ ８ １ ０１ ０
０ ０ ０ ０ ０ ２
０ ２ ４ ６ ８ １ ０１ ０
０ ０ ０ ０ ０ ２
Output Current
（A）
Ambient Temperature
（℃）
Ambient Temperature
（℃）
Ambient Temperature
（℃）
Allowable Case Temperature
（℃）
２０
４０
Output Current
W１ Bidirectional connection
；
Time
t
sec）
（
B６ Six pulse bridge connection
；
Ｗ３ Three phase
；
bidiretional connection
B２
；Two Pluse bridge connection
５ １
-２
２
０
５ １
-１
２
０
５ １
０
２
０
５ １
１
０
34
Embedded System
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
