BC327 / BC328
BC327 / BC328
PNP
Version 2006-05-30
Power dissipation
Verlustleistung
CBE
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
PNP
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
Plastic case
Kunststoffgehäuse
18
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
2 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
E-B short
B open
C open
- V
CES
- V
CEO
- V
EBO
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
B
T
j
T
S
9
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC327
50 V
45 V
5V
625 mW
1
)
800 mA
1A
100 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
BC328
30 V
25 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
- V
CEsat
100
160
250
60
100
170
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
160
250
400
130
200
320
–
Max.
250
400
630
–
–
–
0.7 V
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 300 mA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BC327 / BC328
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
2
)
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 300 mA,
Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom
- V
CE
= 45 V, (B-E short)
- V
CE
= 25 V, (B-E short)
- V
CE
= 45 V, T
j
= 125°C, (B-E short)
- V
CE
= 25 V, T
j
= 125°C, (B-E short)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 50 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
Available current gain groups per type
Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ
C
CBO
R
thA
–
12 pF
< 200 K/W
1
)
BC337 / BC338
BC327-16
BC327-25
BC327-40
BC328-16
BC328-25
BC328-40
–
f
T
–
100 MHz
–
BC327
BC328
BC327
BC328
- I
CES
- I
CES
- I
CES
- I
CES
–
–
–
–
2 nA
2 nA
–
–
100 nA
100 nA
10 µA
10 µA
- V
BE
–
–
1.2 V
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Max.
120
[%]
100
80
60
40
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature
1
)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
2
1
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
