BY133 ... BY135
BY133 ... BY135
Si-Rectifiers – Si-Gleichrichter
Version 2005-08-24
Nominal current
Nennstrom
Ø
2.6
-
0.1
1A
50...1300 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
±0.5
Type
62.5
5.1
-0.1
Ø
0.8
±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
BY133
BY134
BY135
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1300
600
150
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1
)
1600
800
200
1A
10 A
2
)
50/55 A
12.5 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tested with pulses I
R
= 100 µA, t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2%
Gemessen mit Impulsen I
R
= 100 µA, t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BY133 ... BY135
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht
−
Anschluss
T
j
= 25°C
I
F
= 1 A
V
F
I
R
I
R
R
thA
R
thT
T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
T
j
= 100°C V
R
= V
RRM
Kennwerte
< 1.3 V
< 5 µA
< 50 µA
< 45 K/W
1
)
< 15 K/W
120
[%]
100
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
80
1
T
j
= 25°C
60
40
10
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
-1
I
F
10
-2
50a-(1a-1.3v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
[A]
10
î
F
1
1
10
10
2
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
Embedded System
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
