D60VC20 ... D60VC120
D60VC20 ... D60VC120
Silicon-Twin-Rectifiers
Silizium-Doppeldiode
Version 2005-04-26
6.3
0.8
21.6
±1
Nominal current
Nennstrom
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Plastic case with alu-bottom
Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
Weight approx.
Gewicht ca.
±0.2
60 A
60...800 V
28.5 x 28.5 x 10 [mm]
23 g
10
±0.2
Type
24.3
±0.2
6.2
Ø 5.2
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
D60VC20
D60VC40
D60VC60
D60VC80
D60VC100
D60VC120
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
200
400
600
800
1000
1200
28.5
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1
)
200
400
600
800
1000
1200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
per diode
'pro Diode
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
t = 1 min
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
V
ISO
T
j
T
S
60 A
2
)
120 A
2
)
450/500 A
1000A
2
s
≥ 2000 V
-50...+150°C
-50...+150°C
1
2
Per diode – Pro Diode
Max. case temperature T
C
= 100°C – Max. Gehäusetemperatur T
C
= 100°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
D60VC20 ... D60VC120
Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
Device layout
Innerer Aufbau
10-32 UNF
M5
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 60 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
R
thJC
Kennwerte
< 1.1 V
1
)
< 100 µA
< 0.6 K/W
18 ± 10% lb.in
2 ± 10% Nm
For grey colored diodes only blocking
characteristics are valid
Für die grau gezeichneten Dioden
gelten nur die Sperreigenschaften
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
T
j
= 125°C
80
T
j
= 25°C
60
10
40
1
20
I
FAV
0
0
T
C
50
100
150
[°C]
I
F
10
-1
450a-(60a-1,1v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current vs. temp. of the case
Durchlaßstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Per diode – Pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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