モ リ ッ
ノ シ ク型 ホールIC EMシ ーズ
リ
EM1781
両極検知
電源電圧
1.6∼5.5Ｖ
●磁電変換特性
Vout
S or N
V
OH
マーク面
梱包は5000個/巻のテ−ピングとなります。
EM1781は、
ホール素子と波½整½用ICが一½化されている超小型ホールICです。
ホール素子はパルス駆動されているため、
VDD=1.85V時平均消費電流6.5μAときわめて½消費電力です。
ホール素子
パルス駆動
高感度
Bop 3mT
：
出力½式
CMOS出力
小型表面実装
パッケージ
H
1 VDD
：
1
2
2 OUT
：
BhN
3 N.C.
：
N or S
印加磁束の方向
4 VSS
：
V
OL
0
N極 BopN BrpN
磁束密度
BrpS
BopS
BhS
L
S極
●回路構成
1:VDD
項 目
電
出
源
力
電
電
記号
圧
VDD
流
I
out
定 格
−
0.1
∼
6
単 ½
V
mA
℃
℃
Dynamic
Offset Cancellator
●最大定格
（Ta=25℃）
Switch
3:OUT
±0.5
−
30
∼
85
−
40
∼
125
動 ½ 周 囲 温 度
Topr
保
存
温
度
Tstg
2:VDD
Pulse
Hall
Chopper Amplifier
Regulator Element Stabilizer
Schmitt
trigger
&Latch
Output
Stage
●電気的特性
（Ta=25℃ VDD=1.85V）
項 目
動½電圧範囲
出力H→L磁束密度
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
パルス駆動周期
出力High電圧
出力Low電圧
電
源
電
流
記号
VDD
測 定 条 件
最小
1.6
1.4*
1.1
0.3*
3.0
2.2
0.8
50
Io=−0.5mA
Io=＋0.5mA
平均値
6.5
VDD−0.4
0.4
9
標準
最大
5.5
4.0
3.7*
1.5*
100
単½
V
mT
mT
mT
ms
V
●磁界特性
（Ta=30℃∼85℃ VDD=1.85V）
項 目
記号
測 定 条 件
最小
1.2
0.9
0.1
標準
3.0
2.2
0.8
最大
4.4
4.1
1.7
単½
mT
mT
mT
B S
出力H→L磁束密度
I
B
OP
N
I
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
I
B
OP
N
I
I
BrpN
I
I
B h N
I
Tp
V
OH
V
OL
IDD
BhS
BrpS
B
OP
S
I
BrpN
I
I
BhN
I
BhS
BrpS
注）
本特性は設計保証と り す。
な ま
●外付け部品推奨回路
CMOS出力
VDD
VDD
外付けコンデンサ
0.1μF
V
OUT
μA
EM1781
N.C.
VSS
1
［mT½ ［Gauss½
=10
「*」
印の特性値は設計保証値にな ま
り す。
GND
EM1781
•½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、 ・ ・
・
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
b
●外½寸法図
（単½ ½½）
：
0.25
2.1±0.1
1.3
0.3
2
2.1±0.2
1.25±0.1
1
0.90
1.90
φ0.3
Sensor center
5°
5°
3
＋0.1
0.55
−0
0.3 0.25
0.05
5°
4
0.1
注
１）センサ中心はφ0.3mmの
円内に½½します
注
２）公差は特に定める以外は
±0.1mmとします
注 リー
３）
ド平坦度 端子間の
：
スタン
ドオフの差は最大
0.15mmとします。
0∼0.1
●
（参考） ド½状
ラン
（単½ mm）
：
0.50
f
5°
端子番号
1
2
3
4
接続
VDD
OUT
N.C.
VSS
備考
機½
電源ピン
信号出力ピン
GNDと短絡
−
GND
1.30
●½用電圧範囲
6
5
入力電圧
［V½
4
3
2
1
0
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度
［℃½
●パルス駆動消費電流
（VDD=1.85V）
I
DD
146μs
50ms
j
I
DD ON
（TYP : 1.8mA）
I
DD
（TYP : 6.5μA）
I
DD OFF
（TYP : 1.3μA）
time
●動½磁束密度温度特性
6
4
動½磁束密度
［mT½
2
BrpS
0
−2
−4
−6
−50
VDD＝1.85V
BrpN
BopN
●動½タイミング
IDD
IDD
n
o
p
t
48.8μs
BopS
B
Bop
t
B
Brp
t
Vout
High
t
48.8μs
Vout
High
0
周囲温度
［℃½
50
100
Low
t
Operate Point Timing
Low
t
Release Point Timing
磁界判定結果は、内部回路 OFF IDD OFF） 前に内部データとして保持され、それから48.8μs
（
直
経って出力端子に結果を出力します。
注）図中の数字は標準値です。
京公网安备 11010802033920号
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