GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 421
SFH 426
SFH 421
SFH 426
Wesentliche Merkmale
• GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
• SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320
SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325
• SFH 426: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet.
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Very highly efficient GaAIAs-LED
• Good Linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
• SFH 421 same package as SFH 320
SFH 426 same package as SFH 325
• SFH 426: Suitable only for IR-reflow soldering.
Applications
•
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED
®
SIDELED
SFH 421
SFH 426
Q62702-P1055
Q62702-P0331
2002-03-14
1
SFH 421, SFH 426
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ =
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
2.5
180
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
≈
200
K/W
2002-03-14
2
SFH 421, SFH 426
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
80
nm
ϕ
±
60
0.09
0.3
×
0.3
0.5
Grad
deg.
mm
2
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
15
pF
V
F
V
F
I
R
1.5 (≤ 1.8)
3.0 (≤ 3.8)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
23
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
2002-03-14
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
mV/K
nm/K
3
SFH 421, SFH 426
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
I
e
Werte
Values
>4
Einheit
Unit
mW/sr
I
e typ
48
mW/sr
2002-03-14
4
SFH 421, SFH 426
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
Radiant Intensity
Ι
e
100 mA
Ι
e
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
OHR00878
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
mA
100
80
60
10
0
R
thjA
= 450 K/W
60
40
10
-1
40
20
10
-2
20
0
750
10
-3
0
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
800
850
900
950 nm 1000
λ
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
) single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
OHR00881
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(
t
p
),
T
A
= 25
°C
duty cycle
D
= parameter
10
4
mA
OHR00886
Ι
F
A
Ι
F
10
0
10
3
0.1
0.2
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
10
-1
0.5
10
2
DC
t
p
10
-2
D
=
t
p
T
Ι
F
10
-3
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
T
10
1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Radiation Characteristics
S
el
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
OHL01660
ϕ
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
2002-03-14
5
京公网安备 11010802033920号
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