ハイ リ ド型 ホールIC EWシ ーズ
ブ ッ
リ
EW432
交番検知
電源電圧
2.2∼18Ｖ
●磁電変換特性
S
H
Vout
Vcc
梱包は5000個/巻のテ−ピングリール供給となります。
EW432は、
InSb高感度ホール素子と波½整½用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリ ド化したものです。
ッ
高感度InSbホール素子を用いている為、
デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。
ホール素子
常時駆動
高感度
Bop 3mT
：
出力½式
プルアップ抵抗付
表面実装
パッケージ
注意 弊社½品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の
：
「重要注意事項」
を良くお読み下さい。
マーク面
Vd
1 Vcc
：
3
1
2 GND
：
3 OUT
：
N
印加磁束の方向
磁束密度
Vsat
Brp
N極
0
S極
Bh
Bop
L
●最大定格
（Ta=25℃）
項 目
電
源
電
記号
圧
Vcc
定 格
18
（＊）
Vcc
12
−
30
∼
115
−
40
∼
125
●回路構成
単 ½
V
V
mA
℃
℃
GND
ホール素子
増幅回路
シュミッ トリガ回路
ト
出力
トランジスタ
Amp
Vcc
プルアップ抵抗
R
L
OUT
出 力 開 放 電 圧
Vo(off)
出 力 流 入 電 流
Isink
動 ½ 周 囲 温 度
Topr
保
存
温
度
Tstg
（＊）
70℃以上に関 ま
し しては½用電圧範囲を参照下さ
い。
●電気的特性
（Ta=25℃）
項 目
記号
測 定 条 件
最小
2.2
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V,OUT''L''
Vcc=12V,OUT''H''
Vcc=12V,OUT''H''
6
-6
標準
12
3
-3
6
0.4
8
20
14
最大
18
6
単½
V
mT
mT
mT
V
mA
mV
kΩ
動 ½ 電 圧 範 囲
V
CC
出 力 H → L 磁 束 密 度
B
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
Brp
Bh
出 力 ½ 和 電 圧
Vsat
電
源
電
流
Icc
Vd
RL
出力電圧降下
プ ル アップ 抵 抗
1
［mT½ ［Gauss½
=10
EW432
•½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、 ・ ・
・
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
•Please be aware that AKE products are not intended for use in life support equipment, devices, or systems. Use of AKE products in such applications requires
the advance written approval of the appropriate AKE officer.
Certain applications using semiconductor devices may involve potential risks of personal injury, property damage, or loss of life. In order to minimize these risks,
adequate design and operating safeguards should be provided by the customer to minimize inherent or procedural hazards. Inclusion of AKE products in such
applications is understood to be fully at the risk of the customer using AKE devices or systems.
●外½寸法図
（単½ ½½）
：
0.6
●
（参考） ド½状
ラン
（単½ mm）
：
2
φ
0.3
Sensor center
0.1
4.4
±0.2
3.0
±0.1
（0.65）
3
3.6
±0.1
1
0.8
±0.1
1.2
±0.1
2.6
±0.1
0.4
0.4
1 Vcc
：
2 GND
：
●½用電圧範囲
20
18
16
入力電圧
［V½
14
12
10
8
6
4
2
0
–60
–40
–20
0
20
40
60
周囲温度
［℃½
80
100
120
140
※注 センサの中心はφ0.3mmの
円内に½½します。
3 OUT
：
●動½磁束密度温度特性
6
Vcc＝12V
4
動½磁束密度
［mT½
●動½磁束密度温度特性
6
4
動½磁束密度
［mT½
2
0
−2
Brp
−4
−6
Ta ＝ 25℃
2
0
−2
Bop
Bop
Brp
−4
−6
−60
−40 −20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
周囲温度
（℃）
10
Vcc V）
（
15
20
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
