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EM6681

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EM6681
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EM6681 Overview

EM6681

モ リ ッ
ノ シ ク型 ホールIC EMシ ーズ
EM6681
両極検知
電源電圧
2.4∼3.3V
●磁電変換特性
Vout
S or N
マーク面
V
OH
梱包は3000個/巻のテ−ピングとなります。
EM6681は、
ホール素子と波½整½用ICが一½化されている超小型ホールICです。
ホール素子はパルス駆動されているため、
VDD=3V時平均消費電流5.5μAときわめて½消費電力です。
ホール素子
パルス駆動
超高感度
Bop 3mT
出力½式
CMOS出力
薄型表面実装
パッケージ
H
1 VDD
2 VSS
1
3
3 OUT
N or S
印加磁束の方向
BhN
V
OL
0
N極 BopN BrpN
磁束密度
BrpS
BopS
BhS
L
S極
●回路構成
1:VDD
項 目
記号
VDD
I
out
定  格
0.1
5
単 ½
V
mA
Dynamic
Offset Cancellator
●最大定格
(Ta=25℃)
Switch
3:OUT
±1
30
85
40
125
動 ½ 周 囲 温 度
Topr
Tstg
2:VSS
Pulse
Hall
Chopper Amplifier
Regulator Element Stabilizer
Schmitt
trigger
&Latch
Output
Stage
●電気的特性
(Ta=25℃ VDD=3V)
項 目
動½電圧範囲
出力H→L磁束密度
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
パルス駆動周期
出力High電圧
出力Low電圧
記号
VDD
測 定 条 件
最小
2.4
2.0*
1.2
0.3*
標準
3.0
3.0
2.2
0.8
50
Io=−1.0mA
Io=+1.0mA
平均値
5.5
VDD
−0.4
0.4
10
最大
3.3
4.0
3.2*
1.5*
100
単½
V
mT
mT
mT
ms
V
V
●磁界特性
(Ta=30℃∼85℃ VDD=3V)
項 目
記号
測 定 条 件
最小
1.8
1.0
0.1
標準
3.0
2.2
0.8
最大
4.2
3.4
1.5
単½
mT
mT
mT
B S
出力H→L磁束密度
I
B
OP
N
I
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
I
B
OP
N
I
I
BrpN
I
I
B h N
I
Tp
V
OH
V
OL
IDD
BhS
BrpS
B
OP
S
I
BrpN
I
I
B h N
I
BhS
BrpS
注)
本特性は設計保証と り す。
な ま
●外付け部品推奨回路
GND
VSS
μA
外付けコンデンサ
0.1μF
EM6681
VDD
OUT
CMOS出力
1
[mT½ [Gauss½
=10
「*」
印の特性値は設計保証値にな ま
り す。
VDD
how so
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