BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
Si-Rectifiers – Si-Gleichrichter
Version 2005-09-20
Nominal Current
Nennstrom
Ø 4.5
±0.1
3A
200...2000 V
~ DO-201
0.8 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
±0.5
Type
62.5
7.5
±0.1
Ø 1.2
±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
BY251
BY252
BY253
BY254
BY255
BY1600
BY1800
BY2000
higher voltages see
BY4...BY16
4000...16000
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
200
400
600
800
1300
1600
1800
2000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
200
400
600
800
1300
1600
1800
2000
höhere Spannungen siehe
4000...16000
3 A
1
)
20 A
1
)
100/110 A
50 A
2
s
-50...+150°C
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 3 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 1.1 V
< 20 µA
< 25 K/W
1
)
< 10 K/W
120
[%]
100
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
80
T
j
= 25°C
60
1
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
100a-(3a-1.1v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
[A]
10
î
F
1
1
10
10
2
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
RF/Wirelessly
京公网安备 11010802033920号
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