TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
PrimePACK™3ModulundNTC
PrimePACK™3moduleandNTC
FF1000R17IE4
V
CES
= 1700V
I
C nom
= 1000A / I
CRM
= 2000A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• Hilfsumrichter
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
• GroßeDC-Festigkeit
• HoheStromdichte
• NiedrigeSchaltverluste
• T
vjop
=150°C
• NiedrigesV
CEsat
MechanischeEigenschaften
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• HoheLeistungsdichte
• Kupferbodenplatte
• Standardgehäuse
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• AuxiliaryInverters
• HighPowerConverters
• MotorDrives
• WindTurbines
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureT
vjop
• HighDCStability
• HighCurrentDensity
• LowSwitchingLosses
• T
vjop
=150°C
• LowV
CEsat
MechanicalFeatures
• PackagewithCTI>400
• HighCreepageandClearanceDistances
• HighPowerandThermalCyclingCapability
• HighPowerDensity
• CopperBasePlate
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
1
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:TA
approvedby:PL
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF1000R17IE4
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
1700
1000
1390
2000
6,25
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,2
typ.
2,00
2,35
2,45
5,8
10,0
1,5
81,0
2,60
0,55
0,60
0,60
0,10
0,12
0,12
1,00
1,25
1,30
0,29
0,50
0,59
265
390
415
200
295
330
4000
9,00
150
max.
2,45
2,80
6,4
5,0
400
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
kW
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 1000 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 1000 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 1000 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 36,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,2
Ω
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,2
Ω
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,8
Ω
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,8
Ω
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 8000 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,2
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,8
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 1000 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
24,0 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:TA
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF1000R17IE4
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1700
1000
2000
140
typ.
1,85
1,95
1,95
1050
1200
1250
245
410
480
115
205
245
18,0
150
max.
2,25
2,35
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 1000 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1000 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1000 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1000 A, - di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 1000 A, - di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 1000 A, - di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
48,0 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:TA
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF1000R17IE4
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
-40
3,00
1,8
M
8,0
G
-
1200
10
Nm
g
4,0
Cu
Al
2
O
3
33,0
33,0
19,0
19,0
> 400
typ.
3,00
10
0,20
-
-
150
6,00
2,1
max.
K/kW
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
kV
mm
mm
Gewicht
Weight
preparedby:TA
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF1000R17IE4
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
2000
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
2000
1800
1600
1400
1200
I
C
[A]
1000
800
600
400
200
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1800
1600
1400
1200
I
C
[A]
1000
800
600
400
200
0
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.2Ω,R
Goff
=1.8Ω,V
CE
=900V
1100
1000
900
800
700
E [mJ]
600
500
400
300
200
100
0
E
on
, T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
I
C
[A]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
I
C
[A]
preparedby:TA
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.2
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
