OSRAM OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE T H3A, LE B H3A
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Abgekündigt nach OS-PD-2008-008
Obsolete acc. to OS-PD-2008-008
Besondere Merkmale
•
Gehäusetyp:
Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie, plan
vergossen
•
Besonderheit des Bauteils:
extrem hohe
Helligkeit und Leuchtdichte dank
Oberflächenemission und niedrigem R
th
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
•
Wellenlänge:
520 nm (true green),
464 nm (blau)
•
Abstrahlwinkel:
Lambertscher Strahler (120°)
•
Abstrahlende Fläche:
typ. 3,2 x 2,1 mm²
•
Technologie:
ThInGaN
®
•
Leuchtdichte:
26,0*10
6
cd/m² (true green),
6,7*10
6
cd/m² (blau)
•
Montierbarkeit:
verschraubbar
•
Stecker:10
Pin JST SM 10B-SRSS-TB
•
ESD-Festigkeit:
ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-B
•
Verpackungseinheit:
50 St. pro Box
= Verpackungseinheit
Anwendungen
• Projektion
• Medizintechnik: Operationslampen
• Mikroskopbeleuchtung
• Strahler für die Allgemeinbeleuchtung
• Verkehrszeichen
• Hochwertige Blitzlichter
Features
•
package:
compact lightsource in multi chip on
board technology planar sealed
•
feature of the device:
outstanding brightness
and luminance due to pure surface emission
and low R
th
prepared for additional optics
•
wavelength:
520 nm (true green),
464 nm (blue)
•
viewing angle:
Lambertian Emitter (120°)
• light emitting surface: typ. 3.2 x 2.1 mm²
•
technology:
ThInGaN
®
•
Luminance:
26.0*10
6
cd/m² (true green),
6.7*10
6
cd/m² (blue)
•
mounting methods:
screw holes
•
connector:
10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
•
ESD-withstand voltage:
up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-B
method of packing:
50 pcs. per tray
= packing unit
Applications
• projection
• medical lighting: surgery light
• microscope illumination
• spotlights
• VMS (variable message signs)
• high end strobe light
2008-07-07
1
LE T H3A, LE B H3A
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Emissionsfarbe
Color of Emission
Lichstärke
1)
Seite 16
Type
Luminous Intensity
1)
page 16
I
F
= 1000 mA (T, B)
Ι
V
(cd)
true green
min.
typ.
155
18
Lichtfluss
2)3)
Seite 16
Luminous
2)3)
page 16
I
F
= 1000 mA (T, B)
Φ
V
(lm)
true green
min.
typ.
(481)
(54)
(124)
blue
min.
typ.
40
blue
min.
typ.
LE T H3A
LE B H3A
Typ
Type
true green
blue
Emissionsfarbe
Color of Emission
90
LE T H3A
LE B H3A
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Type
LE B H3A-GWJW-23
LE T H3A-KBMA-24
true green
blue
(270)
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A6273
Q65110A6245
Q65110A4679 (Connector)*
LE_ACC_SHR_10V_SR
Abgekündigt nach OS-PD-2008-008 - wird durch LE B H3W, LE T H3W ersetzt werden
Obsolete acc. to OS-PD-2008-008 - will be replaced by LE B H3W, LE T H3W
Letzte Bestellung / Last Order: 2009-01-10
Letzte Lieferung / Last Delivery: 2009-07-10
Anm.:
Die oben genannten Typbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen aus einer
Helligkeitsgruppe. Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe und Farbgruppe pro Verpackungsbox geliefert.
* Zum Zweck der Bemusterung kann in kleinen Stückzahlen der konfektionierte JST-Gegenstecker mit Kabel
angefordert werden.
The above Type Numbers represent the order groups which includes only one brightness group per color and tray. Only
one group will be shipped on each tray.
*In small amounts for the purpose of sampling the corrsponding connector assembled with cable can be ordered
Note:
2008-07-07
2
LE T H3A, LE B H3A
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur*
Operating temperature range*
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(
T
board
=25°C)
Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC
t
≤
10
μ
s, D = 0.1;
T
A
=25°C
Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(
T
board
=25°C)
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 0.5 V
Leistungsaufnahme pro Farbe
Power consumption per Color
(
T
board
=25°C)
*
Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.
Symbol
Symbol
true green
Werte
Values
blau
Einheit
Unit
°C
°C
°C
T
board, op
T
board, stg
T
j
– 40 … + 85
– 40 … + 85
125
I
F
I
FM
1000
2000
mA
mA
V
R
0.5
V
I
R
10
mA
P
tot
30
W
Kennwerte
Charakteristics
Bezeichnung
Parameter
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Junction / base plate
Symbol
Symbol
Werte
Values
2.0 (typ.)
Einheit
Unit
K/W
R
th JB
2008-07-07
3
LE T H3A, LE B H3A
Kennwerte
Characteristics
(
T
board
= 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 1000 mA (T, B)
Dominantwellenlänge
4)
Seite 16
Dominant wavelength
4)
page 16
I
F
= 1000 mA (T, B)
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Ι
Vrel max
Spectral bandwidth at 50 %
Ι
Vrel max
I
F
= 1000 mA (T, B)
Abstrahlwinkel bei 50 %
Ι
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
Ι
V
Durchlassspannung pro Chip
5)
Seite 16
Forward voltage per chip
5)
page 16
I
F
= 1000 mA (T, B)
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
Temperature coefficient of
λ
peak
I
F
= 1000 mA (T, B); –10°C
≤
T
≤
100°C
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
Temperature coefficient of
λ
dom
I
F
= 1000 mA (T, B); –10°C
≤
T
≤
100°C
Temperaturkoeffizient von
V
F
pro Chip
Temperature coefficient of
V
F
per chip
I
F
= 1000 mA (T, B); –10°C
≤
T
≤
100°C
Optischer Wirkungsgrad ohne Linse
Optical efficiency without Lens
I
F
= 1000 mA (T, B)
Abstrahlende Fläche
Radiating Surface
Leuchtdichte
Luminance
I
F
= 1000 mA (T, B)
(typ.)
Symbol
Symbol
Werte
Values
true green
blue
Einheit
Unit
λ
peak
λ
dom
λ
dom
λ
dom
Δλ
2
ϕ
516
460
nm
(min.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(typ.)
(min.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
509
520
527
44
120
3.2
4.0
5.0
0.05
456
464
469
30
120
3.2
4.0
5.0
0.05
nm
nm
nm
nm
Grad
deg.
V
V
V
nm/K
V
F
V
F
V
F
TC
λpeak
(typ.)
TC
λdom
0.02
0.02
nm/K
(typ.)
TC
V
η
opt
A
Color
– 4.5
– 4.5
mV/K
(typ.)
(typ.)
20
3.2 x 2.1
5.2
3.2 x 2.1
lm/W
mm²
(typ.)
L
V
26.0*10
6
6.7*10
6
cd/m²
2008-07-07
4
LE T H3A, LE B H3A
SMD NTC Thermistors
SMD NTC Thermistors
R
25
[Ω]
10k
No. of R/T
characteristic
s*
EPCOS 8502
B
25/50
[K]
3940
B
25/85
[K]
3980
Resistance
Tolerance
Δ
R
N
/R
N
± 5%
B value
Tolerance
Δ
B/B
± 3%
P
NTC,max,25
[mW]
180
* for further information please visit
www.epcos.com
R
T
=
R
N
⋅
e
1 1
B
⋅ ⎛
-- – ------
⎞
-
⎝
T T
N
⎠
Typische Thermistor Kennlinie
2) 7)
Seite 16
Typical Thermistor Graph
2) 7)
page 16
I
F
=
f
(
V
F
);
T
board
= 25 °C
R
T
= NTC resistance in
Ω
at temperature T in K
R
N
= NTC resistance in
Ω
at rated temperature T
N
in K (T
N
= 298 K for test condition)
T, T
N
= temperature in K
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)
B = B value, material specific constant of the NTC
thermistor
10000
Ω
OHL02609
R
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0 10 20 30 40 50 60 70
˚C 90
T
⋅
T
N
R
N
B
=
B
N
⁄
T
= ----------------
⋅
ln
------
-
T
–
T
N
R
T
T
NTC
2008-07-07
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
