DDB6U104N16RRP_B37
EconoPACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/bereits
aufgetragenemThermalInterfaceMaterial
EconoPACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/
pre-appliedThermalInterfaceMaterial
V
CES
= 1600V
I
C nom
= 104A / I
CRM
= 208A
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
ElektrischeEigenschaften
• T
vjop
=150°C
MechanischeEigenschaften
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• HoheLeistungsdichte
• IsolierteBodenplatte
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• RoHSkonform
• Standardgehäuse
•
Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
TypicalApplications
• Auxiliaryinverters
• Airconditioning
• Motordrives
• Servodrives
ElectricalFeatures
• T
vjop
=150°C
MechanicalFeatures
• Al
2
O
3
substratewithlowthermalresistance
•
•
•
•
•
•
•
Highpowerdensity
Isolatedbaseplate
Compactdesign
PressFITcontacttechnology
RoHScompliant
Standardhousing
Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2017-01-12
DDB6U104N16RRP_B37
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSM
I
FSM
I²t
min.
V
F
V
TO
r
T
I
R
R
thJH
T
vj op
-40
1600
60
104
650
550
2100
1500
typ.
1,10
0,75
5,50
5,00
max.
V
V
mΩ
mA
0,720 K/W
150
°C
V
A
A
A
A
A²s
A²s
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
T
H
= 75°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
H
= 75°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Schleusenspannung
Thresholdvoltage
Ersatzwiderstand
Sloperesistance
Sperrstrom
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj
= 150°C, I
F
= 100 A
T
vj
= 150°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 150°C, V
R
= 1600 V
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Datasheet
2
V3.0
2017-01-12
DDB6U104N16RRP_B37
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
H
= 90°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1200
50
100
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,055
0,06
0,06
0,035
0,04
0,04
0,30
0,35
0,40
0,04
0,06
0,07
3,60
4,90
5,30
2,95
4,80
5,40
180
5,25
typ.
1,85
2,15
2,25
5,80
0,38
4,0
2,80
0,10
1,0
100
max.
2,15
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,660 K/W
-40
150
°C
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 1,70 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 10
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 10
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 10
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 10
Ω
6,35
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 1200 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 10
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 10
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJH
T
vj op
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Datasheet
3
V3.0
2017-01-12
DDB6U104N16RRP_B37
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
35
70
250
220
typ.
1,70
1,65
1,65
28,0
37,0
38,0
2,90
5,20
5,90
1,10
2,00
2,30
max.
2,15
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,840 K/W
-40
150
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 35 A, - di
F
/dt = 1200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
F
= 35 A, - di
F
/dt = 1200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
F
= 35 A, - di
F
/dt = 1200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJH
T
vj op
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
NTC
= 25°C
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
NTC
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
4
V3.0
2017-01-12
DDB6U104N16RRP_B37
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumbaseplateoperationtemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Gewicht
Weight
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN 2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN 2012-07
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
H
=25°C,proSchalter/perswitch
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
L
sCE
R
AA'+CC'
T
stg
T
BPmax
M
G
3,00
180
-40
2,5
Cu
Al
2
O
3
10,0
7,5
> 200
typ.
50
1,80
125
125
6,00
max.
nH
mΩ
°C
°C
Nm
g
kV
mm
mm
Datasheet
5
V3.0
2017-01-12
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
