FZ2400R12HP4
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4
IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4
VorläufigeDaten/PreliminaryData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 2400A / I
CRM
= 4800A
PotentielleAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• HoheLeistungsdichte
• IHMBGehäuse
PotentialApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
• Windturbines
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureT
vjop
MechanicalFeatures
• 4kVAC1mininsulation
• PackagewithCTI>400
• Highpowerdensity
• IHMBhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V2.3
2018-08-07
FZ2400R12HP4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 95°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
I
CDC
I
C
I
CRM
V
GES
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,50
0,54
0,55
0,33
0,33
0,33
1,05
1,15
1,20
0,20
0,23
0,24
365
460
505
450
560
595
9600
5,10
1200
2400
3460
4800
+/-20
typ.
1,70
2,00
2,10
5,80
18,5
0,81
150
8,30
5,0
400
max.
2,05
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
12,0 K/kW
9,75
-40
150
K/kW
°C
V
A
A
A
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 2400 A
V
GE
= 15 V
I
C
= 91,2 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 / 15 V
T
vj
= 25°C
f = 1000 kHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1000 kHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 2400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
I
C
= 2400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
I
C
= 2400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Goff
= 0,3
Ω
I
C
= 2400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Goff
= 0,3
Ω
I
C
= 2400 A, V
CE
= 600 V, Lσ = 54 nH
di/dt = 6250 A/µs (T
vj
= 150°C)
V
GE
= -15 / 15 V, R
Gon
= 1,6
Ω
I
C
= 2400 A, V
CE
= 600 V, Lσ = 54 nH
du/dt = 2400 V/µs (T
vj
= 150°C)
V
GE
= -15 / 15 V, R
Goff
= 0,3
Ω
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
6,50
t
r
t
d off
t
f
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
2
V2.3
2018-08-07
FZ2400R12HP4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
2400
4800
615
595
typ.
1,80
1,75
1,70
805
1150
1200
245
430
490
105
185
210
max.
2,35
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
20,0 K/kW
11,0
-40
150
K/kW
°C
V
A
A
kA²s
kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 2400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 2400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 2400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 2400 A, - di
F
/dt = 6250 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 2400 A, - di
F
/dt = 6250 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 2400 A, - di
F
/dt = 6250 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
-40
4,25
1,7
M
8,0
G
-
1300
10
Nm
g
-
4,0
Cu
Al
2
O
3
32,0
32,0
19,0
19,0
> 400
typ.
9,0
0,13
150
5,75
2,1
max.
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
kV
mm
mm
Gewicht
Weight
Datasheet
3
V2.3
2018-08-07
FZ2400R12HP4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
4800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
4800
V
GE
=19 V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
4200
4200
3600
3600
3000
I
C
[A]
3000
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
2400
2400
1800
1800
1200
1200
600
600
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
4800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.6Ω,R
Goff
=0.3Ω,V
CE
=600V
2000
1800
1600
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
4200
3600
1400
3000
I
C
[A]
1200
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
1000
800
600
1200
400
600
200
0
2400
1800
0
0
800
1600
2400
I
C
[A]
3200
4000
4800
Datasheet
4
V2.3
2018-08-07
FZ2400R12HP4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=2400A,V
CE
=600V
2500
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
100
Z
thJC
: IGBT
2000
10
1500
Z
thJC
[K/kW]
1
500
i:
1
2
3
4
r
i
[K/kW]: 0,5553 1,0596 9,5528 0,7923
τ
i
[s]:
0,0006 0,0096 0,0489 1,9537
E [mJ]
1000
0
0,0
1,5
3,0
R
G
[Ω]
4,5
6,0
7,5
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=0.3Ω,T
vj
=150°C
5600
Ic, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
4800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
4800
4200
3600
4000
3000
3200
I
C
[A]
I
F
[A]
800
0
0
200
400
600
800
V
CE
[V]
1000
1200
1400
2400
2400
1800
1600
1200
600
0
0,0
0,3
0,6
0,9
1,2
V
F
[V]
1,5
1,8
2,1
2,4
Datasheet
5
V2.3
2018-08-07
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
