TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP25R12W2T4_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
1200
25
39
50
175
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,2
typ.
1,85
2,15
2,25
5,8
0,20
0,0
1,45
0,05
0,026
0,026
0,026
0,016
0,02
0,021
0,19
0,28
0,30
0,18
0,21
0,22
1,60
2,40
2,60
1,45
2,15
2,35
90
0,75
0,70
150
max.
2,25
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
EasyPIM™2BModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode
EasyPIM™2BmodulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4Diode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 20
Ω
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 20
Ω
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 20
Ω
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 20
Ω
6,4
1,0
400
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 1700 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 20
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 20
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,85 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:RS
dateofpublication:2013-11-04
revision:2.1
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP25R12W2T4_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
25
50
90,0
75,0
typ.
1,75
1,75
1,75
48,0
50,0
52,0
2,50
4,40
4,90
0,95
1,75
2,05
1,10
0,90
150
max.
2,25
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1700 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
1,20 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSM
I
FSM
I²t
min.
V
F
I
R
R
thJC
R
thCH
T
vj op
1600
50
50
450
370
1000
685
typ.
0,90
1,00
1,05
0,95
max.
V
mA
V
A
A
A
A
A²s
A²s
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
T
C
= 100°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
C
= 100°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Sperrstrom
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
T
vj
= 150°C, I
F
= 25 A
T
vj
= 150°C, V
R
= 1600 V
proDiode/perdiode
1,15 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:RS
dateofpublication:2013-11-04
revision:2.1
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP25R12W2T4_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
1200
25
39
50
175
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,2
typ.
1,85
2,15
2,25
5,8
0,20
0,0
1,45
0,05
0,08
0,08
0,08
0,042
0,051
0,053
0,34
0,44
0,46
0,18
0,215
0,225
3,90
5,00
5,40
1,50
2,20
2,40
90
0,75
0,70
150
max.
2,25
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 25 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 68
Ω
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 68
Ω
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 68
Ω
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 68
Ω
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V, L
S
= t.b.d. nH
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 68
Ω
I
C
= 25 A, V
CE
= 600 V, L
S
= t.b.d. nH
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 68
Ω
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
6,4
1,0
400
t
r
t
d off
t
f
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
0,85 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:RS
dateofpublication:2013-11-04
revision:2.1
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP25R12W2T4_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
10
20
16,0
14,0
typ.
1,75
1,75
1,75
12,0
10,0
8,00
0,90
1,70
1,90
0,24
0,52
0,59
1,75
1,30
150
max.
2,25
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
1,90 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
approvedby:RS
dateofpublication:2013-11-04
revision:2.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP25R12W2T4_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
Gewicht
Weight
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
L
sCE
R
CC'+EE'
R
AA'+CC'
T
stg
F
G
-40
40
2,5
AI
2
O
3
11,5
6,3
10,0
5,0
> 200
typ.
30
5,00
6,00
-
39
max.
125
80
nH
mΩ
°C
N
g
kV
mm
mm
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5
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