FP10R12W1T4P_B11
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/bereits
aufgetragenemThermalInterfaceMaterial
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/pre-applied
ThermalInterfaceMaterial
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 10A / I
CRM
= 20A
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesV
CEsat
• TrenchIGBT4
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
•
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
•
Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
TypicalApplications
• Auxiliaryinverters
• Airconditioning
• Motordrives
ElectricalFeatures
• Lowswitchinglosses
• LowV
CEsat
• TrenchIGBT4
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures
• Al
2
O
3
substratewithlowthermalresistance
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
•
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
H
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1200
10
20
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,045
0,045
0,045
0,044
0,061
0,063
0,18
0,245
0,275
0,165
0,215
0,225
0,90
1,35
1,55
0,55
0,80
0,87
35
5,20
typ.
1,85
2,15
2,25
5,80
0,09
0,0
0,60
0,024
1,0
100
max.
2,25
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
1,89 K/W
-40
150
°C
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
C
= 10 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 10 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 10 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,30 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 47
Ω
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 47
Ω
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 47
Ω
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 47
Ω
6,40
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 50 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 500 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 47
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 50 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 47
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJH
T
vj op
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Datasheet
2
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
10
20
16,0
14,0
typ.
1,75
1,75
1,75
12,0
10,0
8,00
0,90
1,70
1,90
0,24
0,52
0,59
max.
2,25
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
2,48 K/W
-40
150
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJH
T
vj op
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSM
I
FSM
I²t
min.
V
F
I
R
R
thJH
T
vj op
-40
1600
30
30
300
245
450
300
typ.
0,80
1,00
max.
V
mA
1,49 K/W
150
°C
V
A
A
A
A
A²s
A²s
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
T
H
= 100°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
H
= 100°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Sperrstrom
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj
= 150°C, I
F
= 10 A
T
vj
= 150°C, V
R
= 1600 V
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Datasheet
3
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P_B11
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
H
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1200
10
20
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,045
0,045
0,045
0,044
0,061
0,063
0,18
0,245
0,275
0,165
0,215
0,225
0,90
1,35
1,55
0,55
0,80
0,87
35
5,20
typ.
1,85
2,15
2,25
5,80
0,09
0,0
0,60
0,024
1,0
100
max.
2,25
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
1,89 K/W
-40
150
°C
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
C
= 10 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 10 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 10 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,30 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 47
Ω
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 47
Ω
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 47
Ω
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 47
Ω
6,40
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 50 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 500 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 47
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 10 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 50 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 47
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJH
T
vj op
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Datasheet
4
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P_B11
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
10
20
16,0
14,0
typ.
1,75
1,75
1,75
12,0
10,0
8,00
0,90
1,70
1,90
0,24
0,52
0,59
max.
2,25
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
2,48 K/W
-40
150
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
F
= 10 A, - di
F
/dt = 500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJH
T
vj op
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
NTC
= 25°C
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
NTC
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
5
V3.0
2017-05-04
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
