Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD170N16S
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
I
FAVM
I
FSM
V
T0
r
T
R
thJC
Base plate
Weight
1600 V
170 A (T
C
=100 °C)
6600 A
3570A (T
C
=55°C)
0,75 V
1,05 mΩ
0,18 K/W
34 mm
165 g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Löt-Bond Technologie
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Features
Solder-Bond Technology
Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Typical Applications
Rectifier for drives applications
Rectifiers for UPS
Battery chargers
content of customer DMX code
DMX code
digit
type designation
1..18
serial number
19..23
internal production order number
24..31
material number
32..41
date code (YY/WW)
42..45
add on for date code
46
DMX code
digit quantity
18
5
8
10
4
1
1
2
3
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
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Revision 3.2
Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
T
C
= 100°C
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
DD170N16S
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
1600 V
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
1700 V
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
260 A
165 A
6600 A
5500 A
217800 A²s
151250 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
T
vj
= 25°C
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
i
F
= 500A
v
F
V
(TO)
r
T
i
R
V
ISOL
max.
max.
max.
max.
1,4 V
0,75 V
1,05 mΩ
9 mA
3,6 kV
3 kV
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
RMS, f = 50Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50Hz, t = 1 min
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,09 K/W
0,18 K/W
0,09
0,18
0,05
0,10
K/W
K/W
K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
135 °C
- 40...+125 °C
- 40...+125 °C
prepared by: AG
approved by: MS
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Rectifier Diode Module
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Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN 61140)
Basic insulation (class 1, IEC 61140)
Toleranz ±15%
Toleranz ±15%
M1
M2
G
typ.
Al
2
O
3
5
5
165
Nm
Nm
g
mm
f = 50Hz
file-No.
50
E 83336
m/s²
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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1
2
3
DD
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Netz-Dioden-Modul
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[K/W]
0,1281
0,0253
0,0201
0,0065
0
0
0
τ
n
[s]
0,2536
0,07357
0,01602
0,0022
1
1
1
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
½
n
max
n=1
R
–t
thn
1 -e
n
0,200
0,180
0,160
0,140
Z
thJC
[°K/W]
0,120
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
0,001
0,01
t [s]
0,1
1
10
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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京公网安备 11010802033920号
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