Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT500N
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
I
TAVM
I
TSM
V
T0
r
T
R
thJC
Base plate
Weight
1200 - 1800V
500A (T
C
=85°C)
17000A
0,85V
0,35mΩ
0,055K/W
60mm
1450g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Optional: Thermisches Interface Material (TIM)
bereits aufgetragen
Typische Anwendungen
Sanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Kurzschließer-Applikationen
Leistungssteller
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Statische Umschalter
Features
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Option: Pre-applied thermal interface material (TIM)
Typical Applications
Soft starter
Rectifier for drives applications
Crowbar applications
Power controllers
Rectifiers for UBS
Battery chargers
Static switches
content of customer DMX code
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
DMX code
digit
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
DMX code
digit quantity
5
7
8
2
2
TT
TD
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Date of Publication 2016-11-25
Revision: 3.4
Seite/page
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT500N
TT500N
TT500N16KOF_TIM
TD500N
TD500N16KOF_TIM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85°C
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter C
T
vj
= -40°C... T
vj max
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200
1600
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1200
1600
1300
1700
1400 V
1800 V
1400 V
1800 V
1500 V
1900 V
900 A
500 A
17000 A
14500 A
1445000 A²s
1051000 A²s
200 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1700 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
A
= 1Ω
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥ 10Ω
i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs, t
g
= 20µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
v
T
V
(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
1,45 V
0,85 V
0,35 mΩ
250 mA
2,2 V
10 mA
5 mA
0,25 V
300 mA
1500 mA
100 mA
4 µs
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approved by: MS
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revision:
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
TT500N
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
t
q
Thermische Eigenschaften
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
typ.
V
ISOL
250 µs
3,0 kV
3,6 kV
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R
thJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
T
vj max
T
c op
T
stg
R
thCH
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0290
0,0580
0,0275
0,0550
K/W
K/W
K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM
thermal resistance, case to heatsink, with TIM
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Lagertemperatur mit TIM
storage temperature with TIM
0,01 K/W
0,02 K/W
0,0075 K/W
0,0150 K/W
125 °C
Mechanische Eigenschaften
-40...+125 °C
-40...+130 °C
+5…+50 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Toleranz / Tolerance ± 15%
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
G
M1
M2
Seite 4
page 4
AlN
6
12
A 2,8 x 0,8
typ.
1450 g
19 mm
50 m/s²
E 83335
Nm
Nm
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Technische Information /
technical information
d
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT500N
1
2
4 5
7 6
3
1
2
4 5
3
TT
TD
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Revision: 3.4
Seite/page
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT500N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[K/W]
τ
n
[s]
0,019
0,019
0,0111
0,00486
0,00137
3,12
0,56
0,101
0,0086
0,00076
n
max
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
½
R
–t
thn
1 -e
n
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZ
th Θ rec
/ ΔZ
th Θ sin
Θ = 180°
ΔZ
th Θ rec
[K/W]
ΔZ
th Θ sin
[K/W]
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
0,00466
0,00760
0,00988
0,01362
0,02118
0,00272
0,00390
0,00547
0,00833
0,01577
Z
th Θ rec
= Z
th DC
+
Z
th Θ rec
Z
th Θ sin
= Z
th DC
+
Z
th Θ sin
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