TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP75R12KT4_B11
EconoPIM™3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC
EconoPIM™3modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 75A / I
CRM
= 150A
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Motorantriebe
• Servoumrichter
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigeSchaltverluste
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
• NiedrigesV
CEsat
MechanischeEigenschaften
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• Kupferbodenplatte
• PressFITVerbindungstechnik
• Standardgehäuse
TypicalApplications
• AuxiliaryInverters
• MotorDrives
• ServoDrives
ElectricalFeatures
• LowSwitchingLosses
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
withpositiveTemperatureCoefficient
• LowV
CEsat
MechanicalFeatures
• HighPowerandThermalCyclingCapability
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• CopperBasePlate
• PressFITContactTechnology
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2013-10-29
revision:3.0
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:AS
approvedby:RS
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP75R12KT4_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 95°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175
V
CES
1200
75
150
385
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,2
typ.
1,85
2,15
2,25
5,8
0,57
10
4,30
0,16
0,16
0,17
0,17
0,03
0,04
0,04
0,34
0,43
0,45
0,08
0,15
0,17
3,10
6,60
7,65
4,20
6,40
7,20
270
0,13
150
max.
2,15
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
W
V
I
C nom
I
CRM
P
tot
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 75 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 75 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 75 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 2,40 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,1
Ω
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,1
Ω
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,1
Ω
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,1
Ω
6,4
1,0
100
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 40 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,1
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 40 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,1
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,39 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-29
revision:3.0
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP75R12KT4_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
75
150
960
typ.
1,70
1,65
1,65
88,0
89,0
90,0
7,30
13,0
14,5
2,65
4,60
5,65
0,205
150
max.
2,15
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 75 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 75 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 75 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 75 A, - di
F
/dt = 2500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 75 A, - di
F
/dt = 2500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 75 A, - di
F
/dt = 2500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,62 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSM
I
FSM
I²t
min.
V
F
I
R
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
1600
80
140
600
470
1800
1100
typ.
1,15
1,00
0,215
150
max.
V
mA
V
A
A
A
A
A²s
A²s
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
T
C
= 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
C
= 80°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Sperrstrom
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
T
vj
= 150°C, I
F
= 75 A
T
vj
= 150°C, V
R
= 1600 V
proDiode/perdiode
0,65 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-29
revision:3.0
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP75R12KT4_B11
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 95°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175
V
CES
1200
50
100
280
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,2
typ.
1,85
2,15
2,25
5,8
0,38
4,0
2,80
0,10
0,16
0,17
0,17
0,03
0,04
0,04
0,33
0,43
0,45
0,08
0,15
0,17
5,70
7,70
8,40
2,80
4,30
4,80
180
0,245
150
max.
2,15
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
W
V
I
C nom
I
CRM
P
tot
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 1,60 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 15
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 15
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 15
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 15
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 20 nH
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 15
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 20 nH
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 15
Ω
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
6,4
1,0
100
t
r
t
d off
t
f
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
0,54 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-29
revision:3.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP75R12KT4_B11
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
25
50
90,0
80,0
typ.
1,75
1,75
1,75
39,0
40,0
41,0
2,40
4,10
4,40
0,90
1,50
1,70
0,61
150
max.
2,15
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
I
F
= 25 A, - di
F
/dt = 1200 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
1,35 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
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approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-29
revision:3.0
5
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