TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF900R12IP4P
PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode
PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 900A / I
CRM
= 1800A
TypischeAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• HoheKurzschlussrobustheit
• HoheStoßstromfestigkeit
• HoheStromdichte
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• RoHSkonform
•
Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
• Windturbines
ElectricalFeatures
• Highshort-circuitcapability
• Highsurgecurrentcapability
• Highcurrentdensity
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures
• 4kVAC1mininsulation
• PackagewithCTI>400
• Highcreepageandclearancedistances
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• RoHScompliant
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2016-09-07
revision:V3.0
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:SM
approvedby:RN
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF900R12IP4P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
H
= 60°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1200
900
1800
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,20
0,22
0,22
0,14
0,15
0,15
0,70
0,80
0,85
0,20
0,40
0,45
71,0
100
105
125
160
175
3600
5,00
typ.
1,70
2,00
2,10
5,80
6,40
1,2
54,0
2,80
5,0
400
max.
2,05
2,40
2,55
6,50
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
48,1 K/kW
-40
150
°C
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 33,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,6
Ω
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,6
Ω
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 45 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4800 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,6
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 45 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,6
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJH
T
vj op
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
preparedby:SM
approvedby:RN
dateofpublication:2016-09-07
revision:V3.0
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF900R12IP4P
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
900
1800
91,0
88,0
typ.
1,90
1,85
1,80
500
650
700
90,0
150
195
38,0
75,0
89,0
max.
2,40
2,35
2,25
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
87,2 K/kW
-40
150
°C
V
A
A
kA²s
kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 900 A, - di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 900 A, - di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 900 A, - di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJH
T
vj op
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
NTC
= 25°C
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
NTC
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:SM
approvedby:RN
dateofpublication:2016-09-07
revision:V3.0
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF900R12IP4P
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumbaseplateoperationtemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
H
=25°C,proSchalter/perswitch
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
T
BPmax
M
3,00
1,8
M
8,0
G
-
825
10
Nm
g
-
-40
4,0
Cu
Al
2
O
3
33,0
33,0
19,0
19,0
> 400
typ.
18
0,30
125
125
6,00
2,1
max.
nH
mΩ
°C
°C
Nm
Nm
kV
mm
mm
Gewicht
Weight
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM: siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM: see AN2012-07
preparedby:SM
approvedby:RN
dateofpublication:2016-09-07
revision:V3.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF900R12IP4P
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
1800
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.6Ω,R
Goff
=1.6Ω,V
CE
=600V
500
450
400
350
300
E [mJ]
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
I
C
[A]
250
200
150
100
50
0
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600 1800
I
C
[A]
preparedby:SM
approvedby:RN
dateofpublication:2016-09-07
revision:V3.0
5
Embedded System
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
