TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF200R12PT4_B6
EconoPACK™4ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC
EconoPACK™4modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 200A / I
CRM
= 400A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen
• Chopper-Anwendungen
• Motorantriebe
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
• TrenchIGBT4
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
• HohemechanischeRobustheit
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• IsolierteBodenplatte
• Standardgehäuse
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• HighFrequencySwitchingApplication
• ChopperApplications
• MotorDrives
• SolarApplications
• UPSSystems
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureT
vjop
• TrenchIGBT4
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
withpositiveTemperatureCoefficient
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1minInsulation
• Highmechanicalrobustness
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• IsolatedBasePlate
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2013-11-11
revision:3.0
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:KY
approvedby:MK
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF200R12PT4_B6
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 95°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
1200
200
300
400
1100
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,2
typ.
1,75
2,05
2,10
5,8
1,65
3,8
12,5
0,54
0,19
0,20
0,205
0,035
0,043
0,044
0,365
0,45
0,47
0,042
0,072
0,078
11,0
17,5
20,0
14,0
21,0
23,0
920
0,071
150
max.
2,10
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 3,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,0
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,0
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,0
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,0
Ω
6,4
0,015 mA
400
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4500 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,0
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,0
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,14 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:KY
approvedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
revision:3.0
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF200R12PT4_B6
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
200
400
7500
6500
typ.
1,65
1,65
1,65
210
235
240
19,0
34,0
40,5
8,65
15,5
18,0
0,069
150
max.
2,10
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,21 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,Revers/Diode,Reverse
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
1200
25
50
90,0
75,0
typ.
1,75
1,75
1,75
0,125
150
max.
2,25
V
V
V
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 25 A, V
GE
= 0 V
proDiode/perdiode
1,30 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:KY
approvedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
revision:3.0
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF200R12PT4_B6
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
3,00
3,0
2,5
Cu
Al
2
O
3
15,0
12,5
11,0
7,0
> 200
typ.
20
1,40
-
-
400
max.
125
6,00
6,0
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:KY
approvedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
revision:3.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF200R12PT4_B6
AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
400
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
400
360
320
280
240
I
C
[A]
200
160
120
80
40
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
360
320
280
240
I
C
[A]
200
160
120
80
40
0
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
400
360
320
280
240
200
160
120
80
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1Ω,R
Goff
=1Ω,V
CE
=600V
70
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
60
50
40
E [mJ]
30
20
10
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
0
I
C
[A]
40
0
0
50
100
150
200
I
C
[A]
250
300
350
400
preparedby:KY
approvedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
revision:3.0
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
