GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 274
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Gehäusegleich mit SFH 484
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
Typ
Type
LD 274
LD 274-3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1031
Q62703-Q1820
Features
•
•
•
•
Very highly efficient GaAs-LED
High reliability
Spectral match with silicon photodetectors
Same package as SFH 484
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
• Remote control for steady and varying intensity
• Sensor technology
• Discrete interrupters
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
2001-02-22
1
LD 274
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
2001-02-22
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
3
165
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
10
0.09
0.3
×
0.3
Grad
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
4.9
…
5.5
0.5
mm
µs
2
LD 274
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
25
Einheit
Unit
pF
C
o
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.30 (≤ 1.5)
1.90 (≤ 2.5)
0.01 (≤ 1)
15
V
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.3
mV/K
nm/K
2001-02-22
3
LD 274
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.001 sr
Grouping of Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.001 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
1)
1)
Symbol
Symbol
LD 274
I
e min
I
e max
50
–
Wert
Value
LD 274-2
1)
50
100
LD 274-3
80
–
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
I
e typ.
350
600
800
mW/sr
Nur auf Anfrage lieferbar.
Available only on request.
2001-02-22
4
LD 274
Relative Spectral Emission
Ι
rel
=
f
(λ)
100
%
Ι
rel
80
OHRD1938
e
Radiant Intensity
Ι
100 mA =
f
(
I
F
)
e
Ι
Single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
e
10
2
OHR01038
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHR00883
Ι
e
(100 mA)
I
F
mA
100
10
1
60
80
R
thjA
= 450 K/W
60
40
10
0
20
40
20
10
-1
10
-2
0
880
920
960
1000
nm
1060
10
-1
10
0
λ
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
A
OHR01041
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(τ),
T
C
≤
25
°C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
OHR00860
I
F
Ι
F
mA
5
D
= 0.005
t
p
t
p
D
=
T
T
0.01
0.02
0.05
Ι
F
10
0
typ.
max.
10
3
0.1
0.2
10
-1
5
0.5
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
DC
10
2
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Radiation Characteristics,
Ι
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHR01882
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-02-22
5
京公网安备 11010802033920号
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