SFE1A ... SFE1M
SFE1A ... SFE1M
Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes
Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-04-26
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
0.5
2.5
1A
50...1000 V
DO-213AB
0.07 g
Type
Typ
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
5.0
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
SFE1A
SFE1B
SFE1D
SFE1G
SFE1J
SFE1K
SFE1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
T
= 100°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
0.5
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
1A
10 A
1
)
30 A
4.5 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
T
j
1
Max. temperature of the terminals T
T
= 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse T
T
= 100°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
SFE1A ... SFE1M
Characteristics
Type
Typ
SFE1A...SFE1D
SFE1G
SFE1J...SFE1M
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
t
rr
[ns]
1
)
< 50
< 50
< 75
T
j
= 25°C
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
at / bei
I
F
[A]
< 1.0
< 1.25
< 1.7
V
R
= V
RRM
I
R
R
thA
R
thT
1
1
1
< 5 µA
< 45 K/W
2
)
< 10 K/W
120
[%]
100
10
[A]
1
SFE1A...D
80
SFE1G
SFE1J...M
60
0.1
40
10
-2
20
I
FAV
0
0
T
T
50
100
150
[°C]
I
F
10
-3
T
j
= 25°C
V
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
1
2
I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
Microchip MCU
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