D 749 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Periodische Spitzensperrspannung
Maximum rated values
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
3600, 4000
4400, 4800 *
V
V
V
A
A
A
kA
kA
kA
2
s
kA
2
s
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
RMS forward current
mean forward current
t
c
= 100 °C
t
c
= 67 °C
V
RSM
= V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
+ 100
1540
750
980
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
I
FSM
I
2
t
14
11
980
605
Grenzlastintegral
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
reverse current
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 3 kA
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
V
T
V
T(TO)
r
T
i
R
max.
max.
2,94
0,85
0,65
70
V
V
mΩ
mA
Thermische Eigenschaften
Innerer Widerstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
beidseitig/two-sided,
Θ
=180° sin
beidseitig/two sided, DC
Anode/anode,
Θ
=180° sin
Anode/anode, DC
Kathode/cathode,
Θ
=180° sin
Kathode/cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
R
thCK
max.
max.
t
vj max
t
c op
t
stg
0,039 °C/W
0,036 °C/W
0,066 °C/W
0,063 °C/W
0,087 °C/W
0,084 °C/W
0,005 °C/W
0,010 °C/W
160
-40...+150
-40...+150
°C
°C
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
einseitig /single-sided
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Maßbild
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
clamping force
weight
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
DIN 40040
f = 50 Hz
50
Seite/page
∅
= 38 mm
Gehäuseform/case design T
F
G
typ.
10...24
280
36
kN
g
mm
C
m/s
2
* Bitte Liefertermin erfragen /Delivery on request
D 749 N
4000
0,9
i
F
[A]
3000
⌠
i²dt
⌡
(normiert)
0,7
2000
1000
0,5
0
0,5
D749N_1
1,0
1,5
2,0
2,5
v
F
[V]
3,0
3,5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D749N_4
t
p
[ms]
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
t
vj
= 160 °C
t
vj
= 25 °C
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
∫i²dt
= f(t
p
)
I
F(0V)M
I
F(0V)M
v
R
14
v
R
16
I
F(0V)M
[kA] 14
12
I
F(0V)M
[kA]
10
1a
12
10
1a
8
2a
1b
1c
2b
2c
2
0
0
D749N_6
8
6
2a
1b
1c
2b
4
6
4
0
D749N_5
2c
0,1
0,2
t [s]
0,3
0,1
0,2
t [s]
0,3
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 750 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 750 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 749 N
10
4
9
8
Θ
T
i
FM
[A]
1600
400
200
800
7
∆
R
thJC
[°C/W]
0,010
Qr
[
µ
As]
6
5
4
100
50
Θ
T
3
0,005
2
Θ
T
0
30
D749N_3
60
90
120
150
Θ
[°el]
180
10
3
0,1
D749N_7
1
10
-di
F
/dt
[A/µs]
100
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
≤
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9
Ω
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
FM
0,10
3
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
τ
n
[s]
τ
n
[s]
τ
n
[s]
1
2
3
4
5
6
7
0,08
Z
(th)JC
[°C/W]
0,06
2
1
2
3
R
thn
°C/W
0,000950 0,005110 0,01574 0,0142
0,001470 0,01120 0,1740
1,31
R
thn
°C/W
0,000910 0,004690 0,01790 0,03950
0,001460 0,00985 0,1740
6,360
R
thn
°C/W
0,00810 0,004440 0,01680 0,00750 0,05445
0,001380 0,00877 0,1570
4,11
8,38
0,04
1
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,02
Analytische Funktion / Analytical function
n
max
Z
thJC
=
Σ
R
thn
(1-EXP(-t/
τ
n
))
n=1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
0
10
-3
D749N_2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
FPGA/CPLD
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