ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î ÎÎ Î ÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
•
DC Current Gain — hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
•
BD 808, 810 are complementary with BD 807, 890
* Pulse Test: Pulse Width
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi
complementary circuits.
Plastic High Power Silicon
PNP Transistor
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
REV 7
Current–Gain Bandwidth Product
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Base–Emitter On Voltage*
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage*
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
DC Current Gain
(IC = 2.0 A, VCE = 2.0 V)
(IC = 4.0 A, VCE = 2.0 V)
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 70 Vdc, IE = 0)
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Device Dissipation TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Characteristic
Rating
Characteristic
3–206
x
300
µs,
Duty Cycle
x
2.0%.
Symbol
TJ, Tstg
VCBO
VCEO
VEBO
PD
IC
IB
Symbol
θ
JC
BD808
BD810
BD808
BD810
Type
VCE(sat)
VBE(on)
Symbol
BVCEO
ICBO
IEBO
hFE
– 55 to + 150
fT
1.39
Max
Value
90
720
6.0
5.0
10
70
80
60
80
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Watts
mW/
_
C
_
C/W
BD808
BD810
BD808
BD810
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
Type
_
C
Min
1.5
30
15
60
80
—
—
—
—
—
10 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
60, 80 VOLTS
90 WATTS
*Motorola Preferred Device
BD808
BD810*
CASE 221A–06
TO–220AB
Max
1.6
1.1
2.0
1.0
1.0
—
—
—
—
—
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
BD808 BD810
90
10
5 ms
1 ms
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
.5 ms
1 ms
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
3
TJ = 150°C
dc
1
0.3
BD808
BD810
1
3
10
30
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
0.1
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Active Region DC Safe Operating Area
(see Note 1)
2.0
1.8
1.6
VOLTAGE (VOLTS)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
VBE @ VCE = 2.0 V
0.02
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(sat) @ IC/IB = 10
hFE, DC CURRENT GAIN
100
50
TJ = 25°C
500
300
Figure 2. Power–Temperature Derating Curve
VCE = 2.0 V
TJ = 150°C
25°C
– 55°C
10
5.0
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.05 0.1
0.5 1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5.0
10
Figure 3. “On” Voltages
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
Figure 4. Current Gain
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
θ
JC(t) = r(t)
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk)
θ
JC(t)
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
t, PULSE WIDTH (ms)
20
30
50
SINGLE P(pk)
PULSE
t1
SINGLE PULSE
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
100
200 300
500
1000
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
Figure 5. Thermal Response
Note 1:
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation,
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 1 is based on T J(pk) = 150
_
C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
150
_
C. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
v
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–207
FPGA/CPLD
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
