BLUE LINE
TM
Hyper SIDELED
®
Hyper-Bright LED
Besondere Merkmale
• Gehäusefarbe: weiß
• als optischer Indikator einsetzbar
• zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und
Linseneinkopplung
• für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
• gegurtet (12-mm-Filmgurt)
• ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3051.7
• JEDEC Level 2
Features
•
•
•
•
•
•
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assebly and reflow-soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
ESD withstand voltage of 2 kV according to
MIL STD 883D, Method 3051.7
• JEDEC Level 2
LB A676
Typ
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Type
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
4.0
5.0
6.3
8.0
10.0
...
...
...
...
...
6.3
8.0
10.0
12.5
16.0
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
Φ
V
(mlm)
15 (typ.)
20 (typ.)
25 (typ.)
30 (typ.)
40 (typ.)
Ordering Code
LB A676
LB A676-J1
LB A676-J2
LB A676-K1
LB A676-K2
LB A676-L1
blue
Q62703-Q3785
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
1.6.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Semiconductor Group
1
1998-09-18
VPL06880
LB A676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Sperrspanung
1)
Reverse voltage
1)
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 °C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
1)
1)
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 40 ... + 100
– 40 ... + 100
+ 100
20
5
100
Einheit
Unit
°C
°C
°C
mA
V
mW
T
op
T
stg
T
j
I
F
V
R
P
tot
R
th JA
500
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
*
)
PC-board: FR4
Semiconductor Group
2
1998-09-18
LB A676
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
(
I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
λ
dom
(
I
F
= 10 mA)
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
(I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
λ
peak
(I
F
= 10 mA)
Temperaturkoeffizient von
V
F
(I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
V
F
(I
F
= 10 mA)
Symbol
Symbol
typ.
Werte
Values
max.
–
nm
428
Einheit
Unit
λ
peak
λ
dom
466
–
nm
∆
λ
60
–
nm
2ϕ
120
3.5
–
4.2
Grad
deg.
V
V
F
I
R
0.01
10
µA
TC
λ
TC
λ
TC
V
0.03
0.004
– 3.1
–
–
–
nm/K
nm/K
mV/K
Semiconductor Group
3
1998-09-18
LB A676
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
=
25 °C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
Ι
rel
%
80
blue
OHL00431
V
λ
60
40
20
0
350
400
450
500
550
600
650
nm 700
λ
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
Semiconductor Group
4
1998-09-18
LB A676
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 °C
10
2
OHL00432
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 °C
Ι
V
10
1
OHL00433
Ι
F
5
Ι
V (10 mA)
10
0
10
1
5
5
10
-1
5
10
0
5
10
-2
5
10
-1
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V 6.0
10
-3 -1
10
5 10
0
5 10
1
V
F
Ι
F
mA 10
2
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
30
OHL00449
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(25 °C )
=
f
(T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Ι
V
1.2
OHL00442
Ι
F
mA
25
Ι
V (25 ˚C)
1.0
20
0.8
15
0.6
10
0.4
5
0.2
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
0
-20
0
20
40
60
C
T
A
100
Semiconductor Group
5
1998-09-18
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
