Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
T
C
= 110°C
T
A
= 45°C, KM 11
T
A
= 45°C, KM 33
T
A
= 35°C, KM 14 (V
L
= 45l/s)
T
A
= 35°C, KM 33 (V
L
= 90l/s)
T
vj
= + 25°C...T
vj max
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
RRM
1200, 1400
1600, 1800
V
V
V
V
A
V
RSM
1300, 1500
1700, 1900
I
FRMSM
125
I
d
215
93
127
215
215
A
A
A
A
A
A
A
A²s
A²s
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C, t
S
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
S
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
2200
1950
I²t
24200
19000
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 300A
v
F
max.
1,61
V
V
(TO)
0,75
V
r
T
1,6
mΩ
i
R
max.
10
mA
V
ISOL
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module,
Θ
= 120°rect
pro Element / per chip,
Θ
= 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
R
thJC
max. 0,082
max. 0,490
max. 0,065
max. 0,390
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per module
pro Element / per chip
R
thCK
max. 0,033
max. 0,200
T
vj max
150
T
c op
- 40...+150
°C
T
stg
- 40...+150
°C
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
f = 50Hz
Toleranz / tolerance +5% / -10%
Toleranz / tolerance ±15%
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Al
2
O
3
M1
6
Nm
M2
6
Nm
G
typ.
300
g
12,5
mm
50
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[
°
C / W
]
0,15200
0,21100 0,02960
τ
n
[
s
]
0,31800 0,03870 0,00109
Analytische Funktion:
Z
thJC
t
−
τ
n
=
R
thn
1
−
e
n
=
1
n
max
∑
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0,60
0,50
120° rect
0,40
DC
Z
thJC
[°C/W]
0,30
0,20
0,10
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z = f(t)
thJC
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle
Θ
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