European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
DD 260 N, DD 261 N
ND 260 N, ND 261 N
35
28,5
6
115
80
9
18
M8
92
18
AK
K
A
March 1998
DD 260 N, ND 260 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische Spitzensperrspannung
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak reverse voltage
non-repetitive peak reverse voltage
RMS forward current
mean forward current
surge forward current
I
2
t-value
t
c
= 100 °C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Isolations-Prüfspannung
Characteristic values
forward voltage
threshold voltage
forward slope resistance
reverse current
insulation test voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 800 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
, v
R
= V
RRM
RMS, f= 50 Hz, t = 1 min
v
F
V
T(TO)
r
T
i
R
V
ISOL
max.
max.
1,32
0,7
0,68
30
3
V
V
m
Ω
mA
kV
I
2
t
t
vj
= -40°C... t
vj max
t
vj
= +25°C... t
vj max
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
600 800 1200
1400 1600 1800
700 900 1300
1500 1700 1900
410
206
9,5
8,3
451 . 10
3
344 . 10
3
V
V
A
A
kA
kA
A
2
s
A
2
s
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
pro Modul/per module,
Θ
=180° sin
pro Zweig/per arm,
Θ
=180° sin
pro Modul/per module, DC
pro Zweig/per arm,DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
max.
max.
0,085 °C/W
0,170 °C/W
0,082 °C/W
0,164 °C/W
0,02 °C/W
0,04 °C/W
150
-40...+150
°C
°C
2)
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Element mit Druckkontakt
Innere Isolation
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
-40...+150 °C
1
AlN
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
f = 50 Hz
typ.
5
12
800
15
Nm
Nm
g
mm
Anzugsdrehmoment für mechanische mounting torque
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische terminal connection torque
Anschlüsse
Gewicht
weight
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
2)
creepage distance
vibration resistance
50 m/s²
Gemäß DIN IEC 749 mit 747-1 gilt eine Zeitbegrenzung von 672 h. Für die im Betrieb auftretende Gehäusetemperatur gilt keine zeitliche Begrenzung. /
According to DIN IEC 749 with 747-1 a time-limit of 672 h is defined. There is no time-limit set for case temperature during operation.
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
DD 260 N, DD 261 N
500
DC
180°
180°
t
C
[°C]
160
140
120
P
FAV
[W]
400
300
H
120°
= 60°
100
80
60
40
H
200
100
= 60°
120°
200
180° 180°
300
400
DC
500
0
0
DD260N1
100
200
300
400
I
FAV
[A]
500
30
0
DD260N2
100
I
FAVM
[A]
Bild/Fig. 1
Durchlaßverlustleistung P
FAV
eines Zweiges
Forward power loss P
FAV
per arm
Bild/Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur t
C
in Abhängigkeit vom Zweigstrom
Maximum allowable case temperature t
C
versus current per arm
0,06 0,05
0,08
0,1
0,12
0,15
0,2
0,25
0,3
0,4
0,6
0,8
0
20
40
R
thCA
[°C/W]
0,04
1200
P
tot
[W] 1000
800
600
400
200
R
thCA
[°C/W]
R-Last
R-load
L-Last
L-load
0,04
0,05
0,06
0,08
0,1
0,12
0,15
0,2
0,25
0,3
0,4
0,6
0,8
200
400
600
I
d
[A]
800
0
DD260N4
2000
P
tot
1600
[W]
1200
800
400
DD260N3
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
200
400
I
d
[A]
600
800
t
A
[°C]
t
A
[°C]
Bild/Fig. 3
B2 - Zweipuls-Brückenschaltung. Höchstzulässiger Ausgangsstrom I
d
in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur t
A
.
B2 - Two-pulse bridge circuit. Maximum allowable output current I
d
versus ambient temperature t
A
.
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild/Fig. 4
B6 - Sechspuls-Brückenschaltung. Höchstzulässiger Ausgangsstrom I
d
in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur t
A
.
B6 - Six-pulse bridge circuit. Maximum allowable output current I
d
versus ambient temperature t
A
.
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
6
5
I
F(OV)M
[kA]
4
3
2
1
0
1
10
DD260N5
6
5
I
F(OV)M
t
A
= 35°C
[kA]
4
3
2
1
10
2
10
3
0
1
10
DD260N6
t
A
= 35°C
t
A
= 45°C
t
A
= 45°C
2
4
6
8
2
4
t [ms]
6
8
2
4
6
8
10
2
2
4
t [ms]
6
8
10
3
Bild/Fig. 5
DD 260 N
Grenzstrom je Zweig I
F(OV)M
bei Luftselbstkühlung, t
A
=45°C und verstärkter
Luftkühlung, t
A
=35°C, Belastung nach Leerlauf, v
RM
= 0,8 V
RRM.
Limiting overload on-state current per arm I
F(OV)M
at natural (t
A
=45°C) and
forced (t
A
=35°) cooling, current surge under no-load conditions,
v
RM
= 0.8 V
RRM
.
Bild/Fig. 6
DD 261 N
Grenzstrom je Zweig I
F(OV)M
bei Luftselbstkühlung, t
A
=45°C und verstärkter
Luftkühlung, t
A
=35°C, Belastung nach Leerlauf, v
RM
= 0,8 V
RRM.
Limiting overload on-state current per arm I
F(OV)M
at natural (t
A
=45°C) and
forced (t
A
=35°) cooling, current surge under no-load conditions,
v
RM
= 0.8 V
RRM
.
DD 260 N, DD 261 N
10000
7000
4000
Q
r
[ µAs]
2000
1000
700
400
200
100
1
[A]
i
1600
FM
400 800
200
100
50
0,20
0,18
0,16
Z
(th)JC
[°C/W]
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
2
4
7
10
20
40
-di
F
/dt [ A/µs]
70
100
DC
0
-3
10 2
DD260N8
,
H
= 60°
120°
180°
,
H
=180°
4 6 10
-2
2
4 6 10
-1
2
4 6 10
0
2
4 6 10
1
t [s]
2
4 6 10
2
DD260N08...16
Bild/Fig. 7
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= t
vj max
, v
R
<= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
FM
Bild/Fig. 8
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
(th)JC
.
Transient thermal impedance, junction to case, per arm Z
(th)JC
.
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,0039
0,0008
2
0,0097
0,008
3
0,0291
0,085
4
0,0552
0,54
5
0,0661
2,85
6
7
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
n
max
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
京公网安备 11010802033920号
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