European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
TT 131 N
screwing depth
max. 12
for fillister head screw
M6x15 Z4-1
plug
A 2,8 x 0,8
14
K2
G2
K1
G1
15
25
80
94
25
13,3 5
AK
K
K1 G1
K2
G2
A
VWK February 1996
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
TT 131 N, TD 131 N, DT 131 N
Electrical properties
Maximum rated values
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= +25°C...t
vj max
t
c
= 85°C
t
c
= 81°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
v
D
≤
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
v
L
=10V,i
GM
=0,6A,di
G
/dt =0,6A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
= V
DRM
V
RSM
= V
RRM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
∫i
2
dt
(di/dt)
cr
(dv/dt)
cr
600 800 1000
1200 1400
+ 100
V
V
V
Periodische Vorwärts- und
repetitive peak forward off-state and
Rückwärts-Spitzensperrspannung
reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
Rückwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
surge current
∫i
2
t-value
current
voltage
220 A
131 A
140 A
3600 A
3200 A
64800 A
2
s
51200 A
2
s
150 A/µs
1000 V/µs
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Isolations-Prüfspannung
Charakteristische Werte
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
Characteristic values
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 350 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
Ω
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs, t
g
= 20 µs
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
t
q
V
ISOL
max.1,48
0,85
1,5
max. 150
max.1,4
max.5
max.0,2
max. 200
max. 620
V
V
mΩ
mA
V
mA
V
mA
mA
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
insulation test voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
=V
DRM
, v
R
=V
RRM
max. 25 mA
max.3 µs
typ.180 µs
3 kV
t
vj
=25°C, i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs
siehe Techn.Er./see Techn.Inf.
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Thermal properties
pro Zweig/per arm
DC: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
thermal resistance, junction
to case
Θ
=180°el,sinus: pro Modul/per module
R
thJC
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
max.0,115
max.0,23
max.0,107
max.0,214
max.0,03
max.0,06
125
-40...+125
-40...+130
1
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
AlN
6 Nm
6 Nm
typ.430 g
14 mm
5 . 9,81 m/s²
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
f = 50 Hz
Diese Module können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
These modules can also be supplied with common anode or common cathode.
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 131 N
200
180
160
P
TAV
140
[W]
120
100
80
60
40
20
0
0
TT 131 N/1
120°
0
θ
60°
θ
= 30°
90°
180°
130
0
θ
t
C
[°C]
100
80
60
40
20
0
TT 131 N/2
θ
= 30°
50
60°
90°
100
120°
180°
150
50
100
I
TAV
[A]
150
I
TAVM
[A]
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
250
180°
200
P
TAV
[W]
150
0
θ
90°
60°
θ
= 30°
120°
DC
t
C
130
0
θ
100
[°C]
80
100
60
50
40
20
θ
= 30°
0
TT 131 N/4
60° 90° 120°
100
180°
150
DC
200
I
TAVM
[A]
250
0
0
TT 131 N/3
50
100
150
I
TAV
[A]
200
50
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
800
P
tot
[W]
0.06 0.05
0.08
R
thCA
[°C/W]
R-Last
R-load
1250
0.05 0.04
L-Last
L-load
1000 0.06
P
tot
[W]
0.08
750 0.1
0.12
500
0.15
0.2
0.25
0.3
250 0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
0
0
20
TT 131 N/6
R
thCA
[°C/W]
0.10
600 0.12
0.15
400 0.2
0.25
0.3
0.4
200 0.5
0.6
0.8
1.0
1.5
0
0
20
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
TT 131 N/5
300
I
d
[A]
400
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
I
d
[A]
400
Bild / Fig. 5
B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
TT 131 N
400
0.15
0.12 0.1
R
thCA
[°C/W]
1250
0.05 0.04
R
thCA
[°C/W]
0.2
P
tot
300
0.25
[W]
0.3
200 0.4
0.5
0.6
0.8
100 1.0
1.5
2.0
3.0
0
0
20
40
60
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
I
RMS
[A]
400
0.06
1000
P
tot
0.08
[W]
750 0.1
0.12
500
0.15
0.2
0.25
0.3
250 0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
0
0
20
TT 131 N/8
40
60
TT 131 N/7
80 100
t
A
[°C]
0
100
200
300
I
RMS
[A]
400
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the
circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
2,5
10
4
8
Bild / Fig. 8
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
phase I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
I
T(0V)M
[kA]
1,5
b
a
2,0
Q
r
[µAs]
4
2
200 A
100 A
50 A
20 A
500 A
10
3
1,0
8
6
4
0,5
2
0
10
TT 131 N/9
20
40
60 80 100
200
400
600 800 1s
10
2
10
0
2
3
4
5 6 7 8
t [ms]
TT 131 N/10
10
1
2
3
4
5 6 7 8
-di/dt [A/µs]
10
2
Bild / Fig. 9
Grenzstrom je Zweig I
T(OV)M
. Belastung aus Leerlauf, V
RM
= 0,8 V
RRM
Maximum overload on- state per arm current I
T(OV)M
. Surge current under
no-load conditions, V
R
= 0,8 V
RRM
a - t
A
= 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
b - t
A
= 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
30
20
v
G
[V]
10
5
a
b
c
d
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= t
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
100
60
t
gd
[µs]20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
5
10
20
50 100 200
mA
500
1
2
5
10
i
G
20
50
0,1
10
20
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
A
4
i
G
6
10
b
a
2
1
0,5
0,2
0,1
TT 131 N/11
A
TT 131 N/12
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 40
80
100 150
________________________________________________________
Bild / Fig. 11
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
Parameter:
a
b
c
d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t
g
[ms] 10
1
0,5
0,1
________________________________________________________
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
t
vj
= 25°C, di
G
/dt = i
GM
/1µs
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
TT 131 N
0,36
0,32
[°C/W]
0,24
0,20
0,16
0,12
0,08
0,04
0
2
10
-3
4 6 8
θ
=
30°
60°
90°
120°
180°
0,36
0,32
0
θ
Z
thJC
Z
thJC
0
[°C/W]
0,24
0,20
0,16
0,12
0,08
0,04
4 6 8
DC
θ
θ
=
30°
60°
90°
120°
180°
10
-2
2
10
-1
2
4 6 8
10
0
2
4 6 8
10
1
2
4 6 8
10
2
0
10
-3 2
4 6 8
10
-2 2
4 6 8
10
-1 2
4 6 8
10
0 2
4 6 8
10
1 2
4 6 8
10
2
TT 121 N/13
t [s]
TT 131 N/14
t [s]
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,00956
0,00089
2
0,025
0,0078
3
0,0763
0,086
4
0,0726
0,412
5
0,0305
2,45
6
7
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Z
thJC
=
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
Embedded System
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
