Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 841 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
1)
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
1)
3500 V, 4000 V
t
vj
= -40°C...125°C
t
vj
= +25°C...125°C
t
C
= 85°C
t
C
= 67°C
t
vj
= 25°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 25°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C, I
M
= 2000 A, V = 3000 V
F
R
C
S
= 0,25 µF, R = 6
Ω
(-di/dt)
com
500 A/µs
I²t
I
FSM
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
4500 V
3600 V, 4100 V
4600 V
1700 A
840 A
1080 A
16000 A
15000 A
1,3x10
6
A²s
1,13x10
6
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
t
vj
= 125°C i
M
= 2500 A
F
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C, v = 0,67 V
R
RRM
t
vj
= 125°C, v = V
RRM
R
i
FM
= 1000 A, -di /dt = 250 A/µs
F
t
vj
= 125 °C; v = 1000 V;
R
C = 0,25 µF; R = 6
Ω
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
i
FM
= 1000 A, -di /dt = 250 A/µs
F
t
vj
= 125 °C; v = 1000 V;
R
C = 0,25 µF; R = 6
Ω
Q
rr
1700 µAs
I
RM
V
F
V
(TO)
r
T
i
R
3,5 V
1,7 V
0,69 mΩ
ca. 75 mA
140 mA
1)
600 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
Kathode / cathode
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
t
vj
max
t
c
op
t
stg
R
thCK
0,005 K/W
0,01 K/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
R
thJC
0,014 K/W
0,245 K/W
0,0325 K/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anpreßkraft /clamping force
Gewicht / weight
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
DIN 40040
f = 50 Hz
F
G
Seite / page 1
15...36 kN
ca. 350 g
ca. 10 mm
16 mm
C
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1)
Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range
D 841 S
4000
4000
100%
90% 80% 70%
60%
50%
i
F
[A]
3000
3500
P
FAV
[W]
3000
40%
2500
30%
2000
2000
1500
20%
1000
1000
10%
500
5%
0
1,0
D 841 S_01
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
v
F
[V]
4,0
4,5
0
500
D 841 S_02
1000
1500
2000
I
F
[A]
2500
Fig. 1
On-state characteristics i
F
= f(V
F
)
t
vj
= 125°C
Upper limit of scatter range
Lower limit of scatter range
Fig. 2
On-state losses (average values)
I
F
= f(P
FAV
)
t
vj
= 125 °C
0,035
3
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
1. Z
thJC
τ
[s]
r [K/W]
0,00460 0,67400
0,00090 0,21800
0,00660 0,07900
0,00120 0,00820
0,00070 0,00180
0,01400
-
2. Z
thJC
τ
[s]
r [K/W]
0,01510 2,90000
0,00090 0,21800
0,00660 0,07900
0,00120 0,00820
0,00070 0,00018
0,02450
-
3. Z
thJC
τ
[s]
r [K/W]
0,02310 2,60000
0,00090 0,21800
0,00660 0,07900
0,00120 0,00820
0,00070 0,00180
0,03250
-
0,030
Z
th
JC
[K/W]
0,025
2
0,020
1
2
3
4
5
S
0,015
1
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Z
thJC
=
0,010
n=1
Σ
R
thn
(1-EXP(-t/τ
n
))
0,005
0
0,001
2 34 68
2 34 68
2 34 68
2 34 68
2 34 68
0,01
0,1
1
10
t [s]
100
D 841 S_03
Fig. 3
Transient thermal impedance
1 - Two-sided cooling
2 - Anode-sided cooling
3 - Cathode-sided cooling
Z
thJC
= f(t), DC
D 841 S
1000
9
7
5
1000
9
7
5
I
FM
-di/dt
I
RM
Q
rr
V
R
Q
rr
[µAs]
4
3
2
I
FM
= 3000A
2000A
1000A
600A
300A
100A
Q
rr
[µAs]
4
3
2
100
9
7
5
4
3
I
FM
2
-di/dt
I
RM
Q
rr
100
9
7
5
4
3
2
I
FM
= 3000A
2000A
1000A
600A
300A
100A
V
R
3
4
5 6 7 89
2
3
4
5 6 7 89
2
3
4
5 6 7 89
10
10
D 841 S_08
2
3
4
5 6 7 89
2
100
-di/dt [A/µs]
1000
10
10
D 841 S_09
100
-di/dt [A/µs]
1000
Fig. 8
Reverse recovery charge (upper limit, ca. 98% values)
Application: GTO-freewheeling diode
Fig. 9
Reverse recovery charge (lower limit, ca. 2% values)
Application: GTO-freewheeling diode
t
vj
≤
125°C; C
S
≥
4µF
R
S
= 0
Ω;
V
R
> 2000 V ... 3000 V
Parameter: I
FM
t
vj
≤
125°C; C
S
≥
4µF
R
S
= 0
Ω;
V
R
> 2000 V ... 3000 V
Parameter: I
FM
10
9
7
5
3000A
1000A
10
9
7
5
I
FM
= 3000A
1000A
600A
300A
E
off
[Ws]
600A
300A
4
3
2
100A
E
off
[Ws]
4
3
2
100A
1
9
7
5
4
3
2
I
FM
-di/dt
I
RM
Q
rr
V
R(Spr)
V
R
1
9
7
5
4
3
2
I
FM
-di/dt
I
RM
Q
rr
V
R(Spr)
V
R
3
4
5 6 7 89
0,1
10
D 841 S_13
2
3
4
5 6 7 89
2
3
4
5 6 7 8 9
100
-di/dt [A/µs]
1000
0,1
10
D 841 S_11
2
3
4
5 6 7 89
2
100
-di/dt [A/µs]
1000
Fig. 10
Turn-off-losses E
off
= f(di/dt)
diodes with V
F
max
Application: GTO-freewheeling diode
Parameter:I
FM
; Snubberdiode D 291 S
t
vj
= 125°C; C
S
= 5 µF für v
R
≤
V
RM
C
S
= 30 µF für v
R
≥
V
RM
L
S
= 0,2 µH
Fig. 11
Turn-off-losses E
off
= f(di/dt)
diodes with V
F
max
Application: GTO-freewheeling diode
V
R(Spr)
= 3000 V
V
R(Spr)
= 2000 V
Parameter:I
FM
; Snubberdiode D 291 S
t
vj
= 125°C; C
S
= 4 µF für v
R
≤
V
RM
C
S
= 24 µF für v
R
≥
V
RM
L
S
= 0,2 µH
V
R(Spr)
= 3000 V
V
R(Spr)
= 2000 V
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