N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D 711N
T
vj
= -40°C... T
v j max
V
RRM
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues
Periodische Rüc kwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetiti ve peak reverse voltages
Periodische Rüc kwärts-Spitzensperrspannung
repetiti ve peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert
maxi mum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state c urrent
Stoßstrom-Grenz wert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Spitzensperrverlustl eistung
Surge reverse power dissipation
T
C
= 100 °C
T
C
= 60 °C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 20 µs
Elektrische
T
Eigenschaften
= 0°C... T
vj
v j max
5800
6500
6000
6700
6000 V
6800 V
6200 V
7000 V
1670 A
790 A
1060 A
12500 A
10500 A
780 10³ A²s
550 10³ A²s
80 10³ W
90 10³ W
V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
P
RSM
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleus ens pannung
threshold voltage
Ersatzwi derstand
slope resistanc e
Durchlaßkennlinie
on-state c haracteristic
v
=
A
+
B
⋅
i
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1200 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
F
V
(TO)
r
T
typ.
A
B
C
D
A
B
C
D
typ.
max.
typ.
max.
typ.
max.
1,77 V
1,9 V
0,79 V
0,84 V
0,81 mΩ
0,87 mΩ
400A
≤
i
F
≤
1200A
T
vj
= T
vj max
F
T
+
C
⋅
Ln
(
i
T
+
1)
+
D
⋅
i
T
max.
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
0,7
0,000438
-0,038
0,0234
0,749
0,000496
-0,04065
0,025
max.
50 mA
prepar ed by: C. Schneider
approved by: J. Przybilla
date of publication:
revision:
1.12.04
5
BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D 711N
Thermische Eigenschaften
Mechanische
= 1000V, T = T
V
Eigenschaften
R
vj
v j max
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperr verzögerungsladung
recovered charge
Rückstr oms pitze
peak reverse r ecover y c urrent
V
R
= 1000V, T
v j
= T
v j max
C = 0,22µF, R = 83Ω
i
TM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
C = 0,22µF, R = 83Ω
i
TM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 100V, T
v j
= T
v j max
C = 0,22µF, R = 83Ω
i
TM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 100V, T
v j
= T
v j max
C = 0,22µF, R = 83Ω
i
TM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
Q
r
typ.
I
RM
typ.
170
A
4,5
mAs
Q
r
max.
I
RM
max.
200
A
5,5
mAs
Sperr verzögerungsladung
recovered charge
Rückstr oms pitze
peak reverse r ecover y c urrent
Thermische Eigenschaften / Th ermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beids eitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / c athode, DC
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJ C
max.
max.
max.
max.
0,0315
0,028
0,054
0,058
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewi derstand
thermal resistance, cas e to heatsi nk
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur
maxi mum junction temperature
Betriebs temperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
max.
max.
0,006 °C/W
0,012 °C/W
160 °C
T
v j max
T
c op
T
s tg
-40...+160 °C
-40...+160 °C
Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, s ee annex
Si-Element mit Druc kkontakt
Si-pellet with press ure contac t
Anpress kraft
clampi ng force
Gewic ht
weight
Kriechstrec ke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
f = 50 Hz
F
G
typ.
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38DNE68
10...16
kN
250 g
30 mm
50 m/s²
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D 711N
Maßbild
1:
Anode/Anode
1
2
2:
Kathode/Cathode
BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D 711N
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmew iderstandes Z
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
0,01316
0,636
0,04142
3,22
0,03514
4,17
2
0,00706
0,0967
0,00142
0,256
0,0038
0,378
3
0,00552
0,016
0,009
0,079
0,00823
0,086
4
0,00225
0,00428
0,00558
0,0092
0,00547
0,0117
5
0,00001
0,0003
0,00058
0,00239
0,00136
0,00354
6
7
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
anodenseitg
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
n
max
n=1
Σ
R
thn
1
−
e
-t
τ
n
0,0 6
k
a
0,0 55
0,0 5
0,0 45
0,0 4
0,0 35
Z (th) JC / [ K/W ]
d
0,0 3
0,0 25
0,0 2
0,0 15
0,0 1
0,0 05
0
0 ,0 01
0 ,0 1
0, 1
t / [ s ec .]
1
10
10 0
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
thJC
= f(t) for DC
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D 711N
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
F
= f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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