Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1481 N 58 ... 68 T
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C ... t
vj max
f = 50Hz
V
RRM
-40°C... t
vj max
5800
6000
6500
6800
0°C ...t
vj max
6000
6200
6700
7000
V
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
C
= 100°C, f = 50Hz
t
C
= 60°C, f = 50Hz
t
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I
2
t
3400 A
1600 A
2160 A
23 kA
20 kA
2
2,65-10
6
A s
2
2-10
6
A s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 2500A
v
F
V
(TO)
r
T
A
B
C
D
A
B
C
D
i
R
Q
r
max
1,9 V
0,88 V
0,41 mΩ
t
vj
= t
vj max
i
F
= 2500A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
max.
V
F
=
A
+
B
⋅
i
F
+
C
⋅
ln
(
i
F
+
1
)
+
D
⋅
i
F
t
vj
= t
vj max
0,664047
0,00018532
-0,0375276
0,021268
0,699275
0,00016113
-0,043088
0,019719
50 mA
11 mAs
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
typ.
V
F
=
A
+
B
⋅
i
F
+
C
⋅
ln
(
i
F
+
1
)
+
D
⋅
i
F
t
vj
= t
vj max,
v
R
= V
RRM
Sperrstrom
reverse current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 1000A, di/dt = 10A/µs
V
R
= 1000V, C = 0,5µF, R = 39
Ω
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 1000A, di/dt = 10A/µs
V
R
= 1000V, C = 0,5µF, R = 39
Ω
I
RM
300 A
BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1481 N 58 ... 68 T
N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
max
max
max
0,014 °C/W
0,026 °C/W
0,03 °C/W
0,005 °C/W
0,010 °C/W
160 °C
-40...+160 °C
-40...+160 °C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCK
max
max
t
vj max
t
c op
t
stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
Seite 3
55DN65
F
G
typ
15...36 kN
600 g
30 mm
20 mm
C
50 m/s
2
f = 50Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1481 N 58 ... 68 T
Maßbild / Outline
N
+0.2/-0.8
∅
75
C
26
+-0.5
A
2 center holes
∅
3.5
×
2.0
∅
48
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1481 N 58 ... 68 T
On-State Characteristics ( v
F
)
typical and upper limit of scatter range
t
vj
= 160°C
°
t
vj
= 25°C
°
r
T
@ t
vj
= 160°C
N
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
ty p .
m ax.
500
0
0
0 ,5
1
1 ,5
V
F
[V ]
2
2 ,5
3
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1481 N 58 ... 68 T
Transient thermal impedance Z
(th) JC
= f (t)
N
1
2
3
4
5
doppelseitige
Kühlung
r [K/W]
[s]
0,00234
0,68
0,00667
0,176
0,00282
0,0732
0,00149
0,011
0,00068
0,0019
0,014
-
anodenseitige
Kühlung
r [K/W]
[s]
0,01464
6,1
0,00667
0,176
0,00282
0,0732
0,00149
0,011
0,00068
0,0019
0,0263
-
kathodenseitige
Kühlung
r [K/W]
[s]
0,01834
4,4
0,00667
0,176
0,00282
0,0732
0,00149
0,011
0,00068
0,0019
0,03
-
0,035
Z
thJC
=
n
m ax
n
=
1
R
thn
⋅
(
1
−
e
−
t
/
τ
n
)
k
0,03
a
0,025
Z (th) JC / [K/W]
0,02
d
0,015
0,01
0,005
0,001
0,01
0,1
t / [sec.]
1
10
0
100
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京公网安备 11010802033920号
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