D 4301 N / D 4401 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische Spitzensperrspannung
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
V
RSM
= V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I
2
t
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
RMS forward current
mean forward current
t
c
= 100 °C, f = 50 Hz
t
c
= 60 °C, f = 50 Hz
surge forward current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
2
I t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
Characteristic values
on-state voltage
1600 1800 2000
2200
+ 100
8,7
4,6
5,5
88
74
38,7 · 10³
27 · 10³
V
V
V
kA
kA
kA
kA
1
)
kA
kA
2
s
kA
2
s
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 4 kA
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
t
vj=
t
vj max
, i
FM
=1500A, -di/dt=5A/µs
v
R
=0,5V
RRM
, C =4,7µF, R =8,2
Ω
V
T
typ.
V
T(TO)
r
T
i
R
Q
r
0,62
0,069
max.
max. 1,0 V
max.
0,70
0,075
200
1,75
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Sperrverzögerungsladung
Thermische Eigenschaften
Innerer Widerstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Anpreßkraft
Gewicht
Kriechstrecke
Lufststrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
1
threshold voltage
slope resistance
reverse current
recovered charge
V
mΩ
mA
mAs
Thermal properties
thermal resistance, junction
beidseitig/two-sided,
Θ
=180° sin
to case
beidseitig/two sided, DC
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanical properties
clamping force
weight
creepage distance
air distance
humidity classification
vibration resistance
R
thJC
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
0,01065
0,01
0,0025
160
-40...+160
-40...+160
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
D 4301 N
D 4401 N
F
G
typ.
45...65
36...52
1700
40
30
DIN 40040
f = 50 Hz
kN
kN
g
mm
mm
C
50 m/s
2
) Gehäusegrenzstrom 75 kA (50 Hz Sinushalbwelle) / Current limit of case 75 kA (50 Hz sinusoidal half-wave)
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
D 4301 N / D 4401 N
4000
typ
max
typ
max
0,015
3000
i
F
[A]
2000
0,010
Z
(th)JC
Z
(th)p
[°C/W]
0,005
1000
I
FAY
DC
180°
3 4 5 7
10
-2
2
3 4 5 7
10
-1
2
I
FAY
180°
120°
2
I
FAY
60°
3 4 5 7
10
1
2
I
FAY
0
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
D 4301 N / D 4401 N / 1
1,1
v
F
[V]
1,2
0
-3
10
2
3 4 5 7
10
0
D 4301 N / D 4401 N / 2
t [s]
Bild / Fig. 1
Durchlaßkennlinie / Limiting and typical on-state characteristic i
f
= f(v
f
)
t
v
j = 160°C
t
vj
= 25°C
Bild / Fig. 2
Transienter innerer Wärmewiderstand /
Transient thermal impedance Z
(th)JC
= f(t)
Doppelseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameiter: Stromflußwinkel / Current conduction angle
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,0038
2,339
2
0,0042
0,162
3
0,0013
0,216
4
0,0005
0,0026
5
0,0002
0,0006
Σ
0,01
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Z
thJC
=
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
4
3
2
Q
r
[mAs]
10
5
7
5
4
3
2
10
4 0
10
2
3
4
5
7
D 4301 N / D 4401 N / 3
10
1
di/dt [A/µs]
2
Bild / Fig. 3
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= 160°C, I
FM
= 1500 A, v
R
= 0,5 V
RRM
C = 4,7 µF, R = 8,2
Ω
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
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