ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
•
DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc
•
BD802 is complementary with BD 795, 797, 799, 801
* Pulse Test: Pulse Width
. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi
complementary circuits.
Plastic High Power Silicon
PNP Transistor
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
REV 7
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 0.25 Adc, VCE = 10 Vdc,
f = MHz)
Base–Emitter On Voltage*
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage*
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
DC Current Gain
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
(IC = 3.0 A, VCE = 2.0 V)
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
(IC = 0.05 Adc, IB = 0)
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Device Dissipation TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Characteristic
Rating
3–204
x
300
µs,
Duty Cycle
x
2.0.
Characteristic
Symbol
TJ, Tstg
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
PD
θ
JC
IC
IB
– 55 to + 150
Value
65
522
100
100
3.0
8.0
5.0
1.92
Max
VCE(sat)
VBE(on)
Symbol
BVCEO
ICBO
IEBO
hFE
fT
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Watts
mW/
_
C
Unit
_
C/W
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
Unit
_
C
Min
100
3.0
30
15
—
—
—
—
8 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
100 VOLTS
65 WATTS
BD802
Max
CASE 221A–06
TO–220AB
1.6
1.0
1.0
0.1
—
—
—
—
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
BD802
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
5
TJ = 150°C
1
0.5
5 ms
100
µs
dc
The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
below which the device will not enter secondary breakdown.
Collector load lines for specific circuits must fall within the ap-
plicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure. To
insure operation below the maximum TJ, power–temperature
derating must be observed for both steady state and pulse
power conditions.
0.1
BD802
1
5
10
50
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
0.05
Figure 1. Active Region Safe Operating Area
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.6
IC = 10 mA
100 mA
1.0 A
3.0 A
1.2
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
IB, BASE CURRENT (mA)
1.8
20
30
50
70
100
200
300
500
Figure 2. Collector Saturation Region
5.0
hFE , NORMALIZED DC CURRENT GAIN
3.0
2.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
0.01 0.02 0.03 0.05
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
D = 0.1
D = 0.2
– 55°C
150°C
VCE = 2.0 V
1.7
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
2.0 3.0 4.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 2.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0.1 0.2 0.3 0.5
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
2.0 3.0 5.0
0
0.01 0.02 0.03
Figure 3. Normalized DC Current Gain
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE
Figure 4. “On” Voltage
0.1 D = 0.05
D = 0.01
0.5
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1000
D = 0 (SINGLE PULSE)
Figure 5. Thermal Response
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–205
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
