EEWORLDEEWORLDEEWORLD

Part Number

Search

BU407BA

Description
TRANSISTOR 7 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Power
CategoryDiscrete semiconductor    The transistor   
File Size342KB,59 Pages
ManufacturerON Semiconductor
Websitehttp://www.onsemi.cn
Download Datasheet Parametric View All

BU407BA Overview

TRANSISTOR 7 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Power

BU407BA Parametric

Parameter NameAttribute value
Is it Rohs certified?incompatible
MakerON Semiconductor
Parts packaging codeTO-220AB
package instructionFLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Contacts3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN codeEAR99
Shell connectionCOLLECTOR
Maximum collector current (IC)7 A
Collector-emitter maximum voltage150 V
ConfigurationSINGLE
JESD-30 codeR-PSFM-T3
JESD-609 codee0
Number of components1
Number of terminals3
Maximum operating temperature150 °C
Package body materialPLASTIC/EPOXY
Package shapeRECTANGULAR
Package formFLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Celsius)NOT SPECIFIED
Polarity/channel typeNPN
Certification statusNot Qualified
surface mountNO
Terminal surfaceTIN LEAD
Terminal formTHROUGH-HOLE
Terminal locationSINGLE
Maximum time at peak reflow temperatureNOT SPECIFIED
transistor applicationsAMPLIFIER
Transistor component materialsSILICON
Nominal transition frequency (fT)10 MHz
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width
NPN Power Transistors
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection
output stages of TV’s and CRT’s.
ON CHARACTERISTICS (1)
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
REV 2
3–244
Forward Diode Voltage (IEC = 5 Adc) “D” only
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.5 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.5 Adc)
Emitter Cutoff Current
(VEB = 6 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEV, VBE = 0)
(VCE = Rated VCEO + 50 Vdc, VBE = 0)
(VCE = Rated VCEO + 50 Vdc, VBE = 0, TC = 150
_
C)
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from Case for 5 Seconds
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage
Junction Temperature Range
Total Device Dissipation, TC = 25
_
C
Derate above TC = 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
Peak Repetitive
Peak (10 ms)
Emitter Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
High Voltage: VCEV = 330 or 400 V
Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max)
Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A
Packaged in Compact JEDEC TO–220AB
Characteristic
Rating
v
300
µs,
Duty Cycle
v
1%.
Characteristic
Symbol
TJ, Tstg
VCBO
VCEO
VEBO
VCEV
PD
IC
IB
TL
Symbol
R
θJC
R
θJA
BU406
400
400
200
BU406, BU407
– 65 to 150
60
0.48
7
10
15
4
6
BU406
BU407
2.08
Max
275
70
BU407
330
330
150
VCEO(sus)
VCE(sat)
VBE(sat)
Symbol
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
IEBO
ICES
VEC
Watts
W/
_
C
_
C/W
_
C/W
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
_
C
Min
200
150
7 AMPERES
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
60 WATTS
150 and 200 VOLTS
Typ
BU406
BU407
CASE 221A–06
TO–220AB
Max
1.2
5
0.1
1
2
1
1
(continued)
mAdc
mAdc
Volts
Unit
Vdc
Vdc
Vdc

EEWorld
subscription
account

EEWorld
service
account

Automotive
development
circle

Robot
development
community

Index Files: 2491  1312  1269  1995  2622  51  27  26  41  53 
Datasheet   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Room 1530, 15th Floor, Building B, No. 18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing Telephone: (010) 82350740 Postal Code: 100190
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号