FZ1500R33HE3
IHM-Bモジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3とエミッターコントロール3ダイオード内蔵
IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
V
CES
= 3300V
I
C nom
= 1500A / I
CRM
= 3000A
アプリケーションの可½性
•
UPSシステム
•
チョッパーアプリケーション
•
モーター駆動
•
中電圧コンバータ
•
電鉄駆動
•
風力タービン
電気的特性
•
T
vjop
=150°C
•
½V
CEsat
½和電圧
•
½スイッチング損失
•
優れたロバスト性
•
正温度特性を持ったV
CEsat
½和電圧
•
高いDC電圧での安定性
•
高い短絡耐量
PotentialApplications
• UPSsystems
• Chopperapplications
• Motordrives
• Mediumvoltageconverters
• Tractiondrives
• Windturbines
ElectricalFeatures
• T
vjop
=150°C
• LowV
CEsat
• Lowswitchinglosses
• Unbeatablerobustness
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
• HighDCstability
• Highshort-circuitcapability
機械的特性
MechanicalFeatures
•
CTI(比較トラッキング指数）>600のモジュールパッケージ
• PackagewithCTI>600
•
IHMBハウジング
• IHMBhousing
•
サーマルサイクル耐量を増加するAlSiCベースプレート
•
AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
•
絶縁されたベースプレート
• Isolatedbaseplate
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.2
2018-06-28
FZ1500R33HE3
IGBT-インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= -40°C
T
vj
= 150°C
T
C
= 95°C, T
vj max
= 150°C
t
P
= 1 ms
V
CES
I
CDC
I
CRM
V
GES
min.
I
C
= 1500 A
V
GE
= 15 V
I
C
= 72,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 / 15 V, V
CE
= 1800 V
T
vj
= 25°C
f = 1000 kHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1000 kHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 3300 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 1500 A, V
CE
= 1800 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Gon
= 1,0
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1500 A, V
CE
= 1800 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Gon
= 1,0
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1500 A, V
CE
= 1800 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Goff
= 1,5
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1500 A, V
CE
= 1800 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Goff
= 1,5
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1500 A, V
CE
= 1800 V, Lσ = 85 nH
di/dt = 4500 A/µs (T
vj
= 150°C)
V
GE
= -15 / 15 V, R
Gon
= 0,47
Ω
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1500 A, V
CE
= 1800 V, Lσ = 85 nH
du/dt = 2100 V/µs (T
vj
= 150°C)
V
GE
= -15 / 15 V, R
Goff
= 1,5
Ω
C
GE
= 330 nF
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 2500 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
0,60
0,60
0,60
0,55
0,55
0,55
3,00
3,20
3,20
0,30
0,35
0,35
1900
2550
2900
1600
2100
2300
5,20
3300
3300
1500
3000
+/-20
typ.
2,55
3,00
3,15
5,80
42,0
0,42
280
6,00
5,0
400
max.
3,10
3,45
6,40
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
V
A
A
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
ゲート電荷量
Gatecharge
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
入力容量
Inputcapacitance
帰還容量
Reversetransfercapacitance
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
t
r
t
d off
t
f
E
on
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
E
off
短絡電流
SCdata
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
動½温度
Temperatureunderswitchingconditions
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
6400
A
7,35 K/kW
IGBT部（１素子½り）/perIGBT
IGBT部（１素子½り）/perIGBT
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
10,0
150
K/kW
°C
Datasheet
2
V3.2
2018-06-28
FZ1500R33HE3
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
電流二乗時間積
I²t-value
最大損失
Maximumpowerdissipation
最小ターンオン時間
Minimumturn-ontime
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= -40°C
T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
3300
3300
1500
3000
590
550
2400
10,0
min.
I
F
= 1500 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1500 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1500 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
typ.
3,10
2,75
2,65
1500
1800
1850
650
1350
1600
650
1650
1950
max.
3,85
3,25
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
13,0 K/kW
11,0
-40
150
K/kW
°C
V
A
A
kA²s
kA²s
P
RQM
t
on min
kW
µs
電気的特性/CharacteristicValues
順電圧
Forwardvoltage
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
動½温度
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 1500 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 1500 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 1500 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
/Diode（１素子½り）/perdiode
/Diode（１素子½り）/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Datasheet
3
V3.2
2018-06-28
FZ1500R33HE3
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
部分放電電圧
Partialdischargeextinctionvoltage
DCスタビリティ
DCstability
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
沿面距離
Creepagedistance
空間距離
Clearance
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
保存温度
Storagetemperature
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
C
=25°C,/スイッチ/perswitch
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤
10 pC
T
vj
= 25°C, 100 fit
V
ISOL
V
ISOL
V
CE D
min.
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
-40
4,25
6,0
2,6
2100
AlSiC
32,2
19,1
> 600
typ.
6,0
0,12
150
5,75
max.
nH
mΩ
°C
Nm
kV
kV
V
mm
mm
1,8
M
8,0
-
-
2,1
10
Nm
Nm
質量
Weight
G
1200
g
Datasheet
4
V3.2
2018-06-28
FZ1500R33HE3
出力特性IGBT-インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
3000
2700
2400
2100
1800
I
C
[A]
1500
1200
900
600
300
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
出力特性IGBT-インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
3000
2700
2400
2100
1800
I
C
[A]
1500
1200
900
600
300
0
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
伝達特性IGBT-インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
3000
2700
2400
2100
1800
I
C
[A]
1500
1200
900
600
300
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
スイッチング損失IGBT-インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=0.47Ω,R
Goff
=1.5Ω,V
CE
=1800V,C
GE
=330
nF
10000
9000
8000
7000
6000
E [mJ]
5000
4000
3000
2000
1000
0
E
on
, T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
0
500
1000
1500
I
C
[A]
2000
2500
3000
Datasheet
5
V3.2
2018-06-28
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
