P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA
P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-10-14
5
± 0.2
2.2
± 0.2
2.1
± 0.2
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
Nominal Stand-off voltage
Nominale Sperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rollen
400 W
5.0...170 V
~ SMA
~ DO-214AC
0.07 g
1
± 0.3
2.7
± 0.2
Type
Typ
0.15
1.5
±0.1
4.5
± 0.3
Dimensions - Maße [mm]
For bidirectional types, suppressor characteristics apply in both directions; add suffix “C” or “CA”.
Für bidirektionale Dioden gelten die Begrenzer-Eigenschaften in beiden Richtungen;
es ist das Suffix “C” oder “CA” zu ergänzen.
TVS diodes having breakdown voltage V
BR
= 220 ... 550 V:
please refer to datasheet P4SMA220
TVS-Dioden mit Abbruchspannung V
BR
= 220 ... 550 V:
siehe Datenblatt P4SMA220
Maximum ratings and Characteristics
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
T
A
= 25°C
T
T
= 75°C
T
A
= 25°C
I
F
= 25 A
Grenz- und Kennwerte
P
PPM
P
M(AV)
I
FSM
V
F
T
j
T
S
R
thA
R
thT
400 W
1
)
1W
40 A
2
)
< 3.5 V
2
)
-50...+150°C
-50...+150°C
< 70 K/W
3
)
< 30 K/W
1
2
3
Non-repetitive pulse see curve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA
120
[%]
100
100
[%]
80
80
t
r
= 10 µs
60
60
P
PPM
/2
I
PPM
/2
40
I
PP
20
P
PP
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
40
I
PP
20
P
PP
0
0
t
P
t
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
1
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
1
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )
10
2
[kW]
10
1
P
PP
0.1
0.1µs
t
P
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
10000
1000
unidir.
bidir.
C
j
[pF]
100
10
1
10
V
WM
[V]
100
1000
Typ. junction capacitance vs. stand-off voltage
Typ. Sperrschichtkapazität über Sperrspannung
1
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
4
RF/Wirelessly
京公网安备 11010802033920号
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