Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
T
vj
= - 25°C...T
vj max
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
T
C
=85°C
T
C
=82°C
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
V
RRM
800
900
1000
900
1000
1100
230
138
146
1950
1600
19000
12800
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A²s
A²s
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 450 A
v
F
V
(TO)
r
T
V
FRM
max.
2,4
1,32
2,2
9,5
V
V
mΩ
V
1)
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
IEC 747-2
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=100A/µs, v
R
=0V
IEC 747-2, Methode / method II
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*tfr
di
F
/dt=100A/µs, v
R
=0V
T
vj
= 25°C,
v
R
=V
RRM
t
fr
max.
1,1
µs
1)
i
R
I
RM
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/µs
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=225 A,-di
F
/dt=100A/µs
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/µs
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
T
vj
= T
vj max
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/µs
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
max.
max.
5
40
47
mA
mA
A
1)
Q
r
32
µAs
1)
t
rr
1,1
µs
1)
SR
0,003
µs/A
2)
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 30. April 1993 , R.Jöeke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
Θ
=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
Θ
=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
Θ
=180°sin
Kathode / cathode, DC
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
R
thCK
max.
max.
T
vj max
T
c op
T
stg
0,015
0,030
125
-40...+125
-40...+150
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
0,141
0,133
0,224
0,216
0,344
0,336
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
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Durchmesser/diameter 15mm
F
G
typ.
1,7...3,4
65
17
C
50
kN
g
mm
f = 50Hz
m/s²
Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jöeke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
Kühlung
cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
0,00694
0,000727
0,00755
0,000812
0,00784
0,000855
2
0,0131
0,00909
0,0246
0,0132
0,0277
0,0143
3
0,023
0,0281
0,0215
0,064
0,022
0,123
n
max
n=1
4
0,0335
0,134
0,0799
0,412
0,0947
0,473
5
0,0552
0,529
0,0683
1,88
0,115
2,17
6
0,0011
2,27
0,0141
10,8
0,0691
10
7
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=∑
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
τ
n
))
SZ-M / 30. April 1993, R.Jörke
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
600
500
400
i
F
[A]
300
200
100
0
0,5
1
1,5
v
F
[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
2
2,5
3
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京公网安备 11010802033920号
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